[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922361703.8
• 申請(qǐng)日: 2019-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210956679U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳雨雁;范婭玲;韋曉波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 力特半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L21/02
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張琛

提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底；和設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的鈍化膜，所述鈍化膜包括第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，其中，所述第一鈍化層設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上，所述第二鈍化層設(shè)置在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)，所述第三鈍化層設(shè)置在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)，所述第二鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影覆蓋所述第一鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影，并且所述第二鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影的面積大于所述第一鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影的面積。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子遷移率高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)勢(shì)。在SiC基半導(dǎo)體器件中，為了提高器件的電學(xué)性能和可靠性，在芯片表面通常采用單層的氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)或磷硅玻璃(PSG)等材料來(lái)做鈍化膜。近年來(lái)，聚酰亞胺(PI)在半導(dǎo)體領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，聚酰亞胺的高溫和化學(xué)穩(wěn)定性起到了將金屬層和各種外界環(huán)境隔離的作用。實(shí)踐證明，使用單層的聚酰亞胺來(lái)做鈍化膜，可以使得半導(dǎo)體器件具有很低的漏電流、較強(qiáng)的機(jī)械性能以及耐化學(xué)腐蝕性能，同時(shí)，聚酰亞胺鈍化膜還可以有效地提高元器件的抗潮濕能力，從而改善半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能和可靠性。

但是，單層的氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、磷硅玻璃(PSG)或聚酰亞胺(PI)等材料形成的鈍化膜，其具有各自的特點(diǎn)和缺陷。例如，對(duì)于單層的氧化硅鈍化膜，一方面，氧化硅具有與SiC襯底相近的應(yīng)力而能夠保證界面處的穩(wěn)定，另一方面，氧化硅較差的防粒子穿通能力、對(duì)輻射敏感、以及純凈的氧化硅膜極難于生成均限制了單層的氧化硅鈍化膜的應(yīng)用。

因此，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的鈍化膜存在一定的缺陷，需要進(jìn)一步改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了解決上述問(wèn)題的至少一個(gè)方面，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件。

在一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

半導(dǎo)體襯底；和

設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的鈍化膜，所述鈍化膜包括第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，

其中，所述第一鈍化層設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上，所述第二鈍化層設(shè)置在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)，所述第三鈍化層設(shè)置在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)，

所述第二鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影覆蓋所述第一鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影，并且所述第二鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影的面積大于所述第一鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影的面積。

根據(jù)一些示例性的實(shí)施例，所述第三鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影覆蓋所述第二鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影，并且所述第三鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影的面積大于所述第二鈍化層在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影的面積。

根據(jù)一些示例性的實(shí)施例，所述半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的劃片槽。

根據(jù)一些示例性的實(shí)施例，所述第一鈍化層包括靠近所述劃片槽的側(cè)面，所述第二鈍化層包括靠近所述劃片槽的側(cè)面，所述第二鈍化層的側(cè)面與所述第一鈍化層的側(cè)面之間的垂直距離在2～5μm的范圍內(nèi)。

根據(jù)一些示例性的實(shí)施例，所述第三鈍化層包括靠近所述劃片槽的側(cè)面，所述第三鈍化層的側(cè)面與所述第二鈍化層的側(cè)面之間的垂直距離在5～10μm的范圍內(nèi)。

根據(jù)一些示例性的實(shí)施例，所述半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底與所述鈍化膜之間的場(chǎng)氧層和層間介電層，所述層間介電層位于所述場(chǎng)氧層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)。