[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201922361703.8
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN210956679U
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 陳雨雁;范婭玲;韋曉波
• 申請（專利權）人: 力特半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張琛

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體襯底；和

設置在所述半導體襯底上的鈍化膜，所述鈍化膜包括第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，

其中，所述第一鈍化層設置在所述半導體襯底上，所述第二鈍化層設置在所述第一鈍化層遠離所述半導體襯底的一側，所述第三鈍化層設置在所述第二鈍化層遠離所述半導體襯底的一側，

所述第二鈍化層在所述半導體襯底上的正投影覆蓋所述第一鈍化層在所述半導體襯底上的正投影，并且所述第二鈍化層在所述半導體襯底上的正投影的面積大于所述第一鈍化層在所述半導體襯底上的正投影的面積。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第三鈍化層在所述半導體襯底上的正投影覆蓋所述第二鈍化層在所述半導體襯底上的正投影，并且所述第三鈍化層在所述半導體襯底上的正投影的面積大于所述第二鈍化層在所述半導體襯底上的正投影的面積。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括設置在所述半導體襯底上的劃片槽。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第一鈍化層包括靠近所述劃片槽的側面，所述第二鈍化層包括靠近所述劃片槽的側面，所述第二鈍化層的側面與所述第一鈍化層的側面之間的垂直距離在2～5μm的范圍內。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第三鈍化層包括靠近所述劃片槽的側面，所述第三鈍化層的側面與所述第二鈍化層的側面之間的垂直距離在5～10μm的范圍內。

6.根據權利要求1、2、4或5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括設置在所述半導體襯底與所述鈍化膜之間的場氧層和層間介電層，所述層間介電層位于所述場氧層遠離所述半導體襯底的一側。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一鈍化層、所述第二鈍化層和所述第三鈍化層中的每一個在所述半導體襯底上的正投影覆蓋所述場氧層和所述層間介電層中的每一個在所述半導體襯底上的正投影。

8.根據權利要求1、2、4、5或7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一鈍化層為氧化物層，所述第二鈍化層為氮化硅層，所述第三鈍化層為聚酰亞胺層。

9.根據權利要求1、2、4、5或7所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底包括碳化硅。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為金屬氧化物半導體場效應晶體管。