[實(shí)用新型]一種電磁屏蔽膜、電路板及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922351975.X | 申請日： | 2019-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN211792695U | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇陟;高強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電磁 屏蔽 電路板 電子設(shè)備 | ||
1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括：屏蔽層和膠膜層；
所述膠膜層形成在所述屏蔽層的一側(cè)；
所述屏蔽層用于屏蔽電磁波；
所述屏蔽層上開設(shè)有貫穿所述屏蔽層的通孔，且開設(shè)通孔后的所述屏蔽層的殘余率為15％-98％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的厚度范圍為0.05μm-8μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的厚度范圍為0.1μm-4μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的殘余率為30％-95％。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的殘余率為40％-90％。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的殘余率為50％-80％。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的殘余率為60％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，還包括絕緣保護(hù)層，所述絕緣保護(hù)層形成在所述屏蔽層上遠(yuǎn)離所述膠膜層的一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述膠膜層為導(dǎo)電膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層靠近膠膜層的表面設(shè)有多個導(dǎo)電凸起。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的材質(zhì)為鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀或金。
12.一種電路板，其特征在于，包括：電路板主體和電磁屏蔽膜；
所述電路板主體包括基底、形成在基底上的線路層以及覆蓋所述線路層的絕緣覆蓋層，所述線路層包括接地線路；
所述絕緣覆蓋層上開設(shè)有連接孔；
所述電磁屏蔽膜包括屏蔽層和膠膜層；
所述膠膜層形成在所述屏蔽層的一側(cè)；
所述屏蔽層上開設(shè)有貫穿所述屏蔽層的通孔，且開設(shè)通孔后的所述屏蔽層的殘余率為15％-98％；
所述絕緣覆蓋層與所述膠膜層粘接，且所述膠膜層伸入所述連接孔與所述接地線路接觸；
所述屏蔽層靠近所述膠膜層的表面上設(shè)置有多個導(dǎo)電凸起，所述屏蔽層通過所述導(dǎo)電凸起刺破所述膠膜層與所述接地線路電連接；或
所述膠膜層內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒，所述屏蔽層通過所述導(dǎo)電顆粒與所述接地線路電連接。
13.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求12所述的電路板。
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