[實用新型]一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路

有效

• 申請號: 201922344339.4
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN210745009U
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 張建華;許峰
• 申請（專利權）人: 青島元通電子有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M3/335
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

本實用新型涉及一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，其包括并聯MOS管單元、采樣電路單元、比較電路單元、PNP型三極管和控制單元，并聯MOS單元經采樣電路單元、比較電路單元與PNP型三極管的基極相連接，控制單元的輸出端與PNP型三極管的發射極相連接，其中，并聯MOS單元包括并聯的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的柵極與PNP型三極管的發射極相連接，第二MOS管的柵極與PNP型三極管的集電極相連接。本反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，能夠在使用兩個或多個MOS管并聯，實現較高變換功率的基礎上，顯著降低電源輕載或者空載待機功耗。

技術領域

本實用新型涉及電子技術領域，具體涉及一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路。

背景技術

在開關電源的拓撲中，反激拓撲為最常用的拓撲之一。現有反激拓撲開關電源工作時，當輸出功率較高時，初級側開關需使用兩個或多個MOS管并聯，以滿足初級側的峰值電流要求。雖然滿載輸出時，多個MOS管的使用有利于提高轉換效率，但當輕載或者空載工作時，初級側峰值電流幅值較小，兩個或多個MOS管的并聯使用會額外增加MOS管的開關損耗，從而導致開關電源空載待機功耗升高的缺陷。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是：克服現有開關電源初級側開關的輕載或者空載待機功耗，提供一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路。

為解決上述技術問題，本反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，其特征是：包括并聯MOS管單元、采樣電路單元、比較電路單元、PNP型三極管和控制單元，并聯MOS單元經采樣電路單元、比較電路單元與所述PNP型三極管的基極相連接，所述控制單元的輸出端與所述PNP型三極管的發射極相連接，其中，所述并聯MOS單元包括并聯的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的柵極與所述PNP型三極管的發射極相連接，所述第二MOS管的柵極與所述PNP型三極管的集電極相連接。

進一步的，所述采樣電路單元包括取樣電阻、保持二極管和保持電容。

進一步的，所述比較電路單元第一分壓電阻、第二分壓電阻和運算放大器。

進一步的，所述控制單元為PWM控制芯片。

本實用新型一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路的有益效果為：能夠在使用兩個或多個MOS管并聯，實現較高變換功率的基礎上，顯著降低電源輕載或者空載待機功耗，不僅節省了能耗，而且提升了電源的使用壽命和整體可靠性。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路作進一步說明：

圖1是本反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路的結構線框圖；

圖2是本反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路的電路圖；

圖3是本反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路的應用圖。

具體實施方式

在本實用新型中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本實用新型中的具體含義。

在本實用新型的描述中，需要理解的是，術語“左”、“右”、“前”、“后”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系均為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。