[實用新型]一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路有效
| 申請號： | 201922344339.4 | 申請日： | 2019-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN210745009U | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 張建華;許峰 | 申請（專利權）人： | 青島元通電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/088 | 分類號： | H02M1/088;H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 鄭青松 |
| 地址： | 266000 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 拓撲 初級 開關 mos 并聯 自適應 調整 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，其特征是：包括并聯MOS管單元、采樣電路單元、比較電路單元、PNP型三極管和控制單元，并聯MOS單元經采樣電路單元、比較電路單元與所述PNP型三極管的基極相連接，所述控制單元的輸出端與所述PNP型三極管的發射極相連接，其中，
所述并聯MOS單元包括并聯的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的柵極與所述PNP型三極管的發射極相連接，所述第二MOS管的柵極與所述PNP型三極管的集電極相連接。
2.根據權利要求1所述的反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，其特征是：所述采樣電路單元包括取樣電阻、保持二極管和保持電容。
3.根據權利要求1所述的反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，其特征是：所述比較電路單元第一分壓電阻、第二分壓電阻和運算放大器。
4.根據權利要求1所述的反激拓撲初級側開關MOS管并聯自適應調整電路，其特征是：所述控制單元為PWM控制芯片。
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H02 發電、變電或配電
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換；以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換；以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
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