[實用新型]層疊母線及功率單元

有效

• 申請號: 201922343710.5
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN211046782U
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 袁小峰;王猛;高保峰
• 申請（專利權）人: 新疆金風科技股份有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 劉敏

1.一種層疊母線，用于連接功率模塊(M1)和電容池模塊，其特征在于，所述層疊母線包括依次層疊設置的第一絕緣板(11)、正極板(12)、第二絕緣板(13)、負極板(14)及第三絕緣板(15)；

所述正極板(12)和所述負極板(14)通過所述第一絕緣板(11)、所述第二絕緣板(13)和所述第三絕緣板(15)完全搭接，并形成彎折連接的第一側部(10)和第二側部(20)；

所述第一側部(10)上設置有用于與所述功率模塊(M1)連接的第一正極接線端(101)和第一負極接線端(102)；所述第一正極接線端(101)穿過所述第一絕緣板(11)與所述正極板(12)接觸，所述第一負極接線端(102)穿過所述第三絕緣板(15)與所述負極板(14)接觸；

所述第二側部(20)上設置有用于與所述電容池模塊連接的第二正極接線端(201)和第二負極接線端(202)；所述第二正極接線端(201)穿過所述第一絕緣板(11)與所述正極板(12)接觸，所述第二負極接線端(202)穿過所述第三絕緣板(15)與所述負極板(14)接觸。

2.根據權利要求1所述的層疊母線，其特征在于，所述第一側部(10)與所述第二側部(20)之間的彎折處為倒角結構。

3.根據權利要求2所述的層疊母線，其特征在于，所述第一側部(10)與第二側部(20)之間的彎折處為弧形面結構。

4.根據權利要求1所述的層疊母線，其特征在于，所述第一側部(10)遠離第二側部(20)的邊緣上開設有多個豁口(103)；

所述功率模塊(M1)通過所述第一正極接線端(101)和所述第一負極接線端(102)與所述第一側部(10)連接時，所述豁口(103)用于將所述功率模塊(M1)的芯溫采樣接口裸漏在外。

5.根據權利要求1所述的層疊母線，其特征在于，所述第一側部(10)靠近彎折處設置有支撐開口(104)，用于連接支撐件(40)，以將所述層疊母線通過所述支撐件(40)固定。

6.根據權利要求1所述的層疊母線，其特征在于，所述第二側部(20)靠近彎折處設有導向開口(203)，用于引導所述層疊母線與所述電容池模塊連接。

7.根據權利要求1所述的層疊母線，其特征在于，所述第一正極接線端(101)和所述第一負極接線端(102)沿第一方向(X)成列交替設置于所述第一側部(10)，所述第一方向(X)為所述第一側部(10)的長度方向。

8.根據權利要求7所述的層疊母線，其特征在于，至少兩列所述第一正極接線端(101)和所述第一負極接線端(102)沿第二方向(Y)間隔分布于所述第一側部(10)，所述第一方向(X)與所述第二方向(Y)垂直。

9.根據權利要求1所述的層疊母線，其特征在于，所述第二正極接線端(201)和所述第二負極接線端(202)沿第二方向(Y)成列交替設置于所述第二側部(20)，所述第二方向(Y)為所述第二側部(20)的寬度方向。

10.一種功率單元，其特征在于，包括：

功率模塊(M1)，設置為IGBT模塊、MOSFET模塊和IGCT模塊中的任一者；

電容池模塊；

如權利要求1至9任一項所述的層疊母線，所述層疊母線的第一側部(10)用于連接所述功率模塊(M1)，第二側部(20)用于連接所述電容池模塊。