[實用新型]層疊母線及功率單元

有效

• 申請號: 201922343710.5
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN211046782U
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 袁小峰;王猛;高保峰
• 申請（專利權）人: 新疆金風科技股份有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 劉敏

本實用新型涉及一種層疊母線及功率單元。該層疊母線用于連接功率模塊和電容池模塊，其包括依次層疊設置的第一絕緣板、正極板、第二絕緣板、負極板、第三絕緣板；正極板和負極板通過第一絕緣板、第二絕緣板和第三絕緣板完全搭接，并形成彎折連接的第一側部和第二側部；第一側部設置有與功率模塊連接的第一正極接線端和第一負極接線端；第一正極接線端穿過第一絕緣板與正極板接觸，第一負極接線端穿過第三絕緣板與負極板接觸；第二側部設置有與電容池模塊連接的第二正極接線端和第二負極接線端；第二正極接線端穿過第一絕緣板與正極板接觸，第二負極接線端穿過第三絕緣板與負極板接觸。本實用新型能夠有效降低電路中的雜散電感。

技術領域

本實用新型涉及電力電子及通信技術領域，特別是涉及一種層疊母線及功率單元。

背景技術

隨著電力電子技術和微電子技術的飛速發展，大功率半導體器件例如中高壓變流器、逆變器獲得了越來越廣泛的應用。絕緣柵雙極性晶體管 (Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)以其輸入阻抗高、開關速度快、通態電壓低、阻斷電壓高、承受電流大等特點，已成為當今功率半導體器件的重要部件。目前IGBT模塊與電容池模塊之間通過直流母線連接，但是直流母線的雜散電感較大。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種層疊母線及功率單元，該層疊母線能夠有效降低電路中的雜散電感。

為此，本實用新型提出了一種層疊母線，用于連接功率模塊和電容池模塊，該層疊母線包括依次層疊設置的第一絕緣板、正極板、第二絕緣板、負極板、第三絕緣板；正極板和負極板通過第一絕緣板、第二絕緣板和第三絕緣板完全搭接，并形成彎折連接的第一側部和第二側部；第一側部上設置有用于與功率模塊連接的第一正極接線端和第一負極接線端；第一正極接線端穿過第一絕緣板與正極板接觸，第一負極接線端穿過第三絕緣板與負極板接觸；第二側部上設置有用于與電容池模塊連接的第二正極接線端和第二負極接線端；第二正極接線端穿過第一絕緣板與正極板接觸，第二負極接線端穿過第三絕緣板與負極板接觸。

根據本實用新型的一個方面，第一側部與第二側部之間的彎折處為倒角結構。

根據本實用新型的一個方面，第一側部與第二側部之間的彎折處為弧形面結構。

根據本實用新型的一個方面，第一側部遠離第二側部的邊緣上開設有多個豁口；功率模塊通過第一正極接線端和第一負極接線端與第一側部連接時，豁口用于將功率模塊的芯溫采樣接口裸漏在外。

根據本實用新型的一個方面，第一側部靠近彎折處設置有支撐開口，用于連接支撐件，以將層疊母線通過支撐件固定。

根據本實用新型的一個方面，第二側部靠近彎折處設有導向開口，用于引導層疊母線與電容池模塊連接。

根據本實用新型的一個方面，第一正極接線端和第一負極接線端沿第一方向成列交替設置于第一側部，第一方向為第一側部的長度方向。

根據本實用新型的一個方面，至少兩列第一正極接線端和第一負極接線端沿第二方向間隔分布于第一側部，第一方向與第二方向垂直。

根據本實用新型的一個方面，第二正極接線端和第二負極接線端沿第二方向成列交替設置于第二側部，第二方向為第二側部的寬度方向。

另一方面，本實用新型還提出了一種功率單元，包括：功率模塊，設置為IGBT模塊、MOSFET模塊和IGCT模塊中的任一者；電容池模塊；如前所述的層疊母線，層疊母線的第一側部用于連接功率模塊，第二側部用于連接電容池模塊。