[實用新型]一種五氧化三鈦真空鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201922320853.4
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN211142141U
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 汪韜;李云
• 申請（專利權）人: 安徽南芯電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及真空鍍膜設備技術領域，具體為一種五氧化三鈦真空鍍膜裝置，包括設備底座；設備底座固定在地面上，設備底座上設置有鍍膜機體，鍍膜機體內部設置有若干個鍍膜倉，鍍膜倉內部密封，鍍膜倉下部加工有蒸發倉，蒸發倉內部設置有蒸發裝置，鍍膜倉頂端通過若干組高壓管路與抽真空機連接，鍍膜倉內設置有若干組移動軌道，移動軌道上設置有鍍膜架，鍍膜架的端部設置有密封鍍膜門，本實用新型過設置蒸發裝置，蒸發裝置為能夠升降的蒸發裝置，在蒸發鍍膜的過程中能夠通過控制蒸發源與待鍍膜件之間的間距進而控制鍍膜厚度和鍍膜效率。

技術領域

本實用新型涉及真空鍍膜設備技術領域，尤其涉及一種五氧化三鈦真空鍍膜裝置。

背景技術

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件(金屬、半導體或絕緣體)表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等；

真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學氣相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。五氧化三鈦蒸發鍍膜通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜；

但是目前的真空鍍膜設備鍍膜過程中，蒸發速率低，過程不可控，不能進一步調控鍍膜過程。

發明內容

本實用新型克服了上述現有技術的不足，提供了一種五氧化三鈦真空鍍膜裝置。本實用新型通過設置蒸發裝置，蒸發裝置為能夠升降的蒸發裝置，在蒸發鍍膜的過程中能夠通過控制蒸發源與待鍍膜件之間的間距進而控制鍍膜厚度和鍍膜效率，同時，蒸發裝置內部由蒸發加熱網作為蒸發加熱源，大大提高了蒸發效率。

本實用新型的技術方案：

一種五氧化三鈦真空鍍膜裝置，包括設備底座、鍍膜機體、鍍膜倉、蒸發倉、蒸發裝置、鍍膜架和密封鍍膜門；所述設備底座固定在地面上，所述設備底座上設置有鍍膜機體，所述鍍膜機體內部設置有若干個鍍膜倉，所述鍍膜倉內部密封，所述鍍膜倉下部加工有蒸發倉，所述蒸發倉內部設置有蒸發裝置，所述鍍膜倉頂端通過若干組高壓管路與抽真空機連接，所述鍍膜倉內設置有若干組移動軌道，所述移動軌道上設置有所述鍍膜架，所述鍍膜架的端部設置有密封鍍膜門，所述密封鍍膜門上設置有真空密封圈，所述鍍膜倉的端部加工有與所述真空密封裝置配合的密封凹槽，所述密封鍍膜門外端設置有伸縮支撐裝置。

進一步的，所述鍍膜倉為筒型密封倉，所述密封倉壁為高強度密封倉壁；

所述蒸發倉為與一組與所述鍍膜倉垂直的筒型密封倉，所述蒸發倉底部設置有蒸發裝置。

進一步的，所述蒸發裝置包括一組升降液壓缸，所述升降液壓缸設置在所述蒸發倉底部，所述升降液壓缸頂端設置有蒸發坩堝，所述蒸發坩堝內設置有蒸發加熱網，所述蒸發加熱網設置布置在所述蒸發坩堝內端面上。

進一步的，所述蒸發加熱網由若干組并聯設置的加熱電阻絲組成。

進一步的，所述鍍膜架三組鍍膜主架，三組鍍膜主架之間通過一組水平設置的中間放置架連接，所述中間放置架上設置有若干組鍍膜放置架，所述中間放置架的端部與一組密封鍍膜門固定連接，所述鍍膜主架外端設置有若干組移動滑塊，所述移動滑塊上加工有與所述移動軌道對應的移動孔，所述鍍膜主架均通過所述移動孔與所述移動軌道的配合關系設置在所述移動軌道上。

進一步的，所述伸縮支撐裝置包括兩組伸縮氣缸，所述伸縮氣缸對稱設置在所述密封鍍膜門上，所述伸縮氣缸的活動端設置有支撐腿，所述支撐腿的底端設置有支撐板。

進一步的，所述伸縮氣缸為無桿氣缸。

進一步的，所述密封鍍膜門下端還與一組伸縮支撐架固定連接，所述伸縮支撐架下端設置有移動滾輪，所述伸縮支撐架設置在所述鍍膜機體下端加工的放置槽內。

本實用新型相對于現有技術具有以下有益效果：