[實用新型]一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922319293.0
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN211947213U
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 劉凱;程凱
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505
• 代理人: 李浩

本實用新型提供了一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備，解決了晶片承載盤中間很難進行烘烤，由于溫度達不到清洗所需溫度，導致石墨盤的清洗不干凈的問題。包括：第一盤體，包括第一凹槽；以及設置在所述第一凹槽中的第二盤體，所述第二盤體將所述第一凹槽分割成至少兩個晶片承載槽。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及工藝設備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備。

背景技術(shù)

目前，襯底的制作工藝通常采用MOCVD(化學氣相外延沉積工藝)技術(shù)進行，在MOCVD設備上設置有石墨盤，石墨盤的盤體上表面開設有若干個凹槽，在凹槽內(nèi)對應放置一片襯底，通過MOCVD設備的加熱單元，使得襯底上表面與來自于噴頭的反應氣體進行化學反應，從而在襯底表面沉積相應的外延材料層。在MOCVD中，會在石墨盤上形成坤化鎵等物質(zhì)的固體沉積。石墨盤上形成沉積物后，需要對其進行清洗。目前主要通過將石墨盤放到設備中進行烘烤，但是由于烘烤設備的設計原因，石墨盤中間很難進行烘烤，由于溫度達不到清洗所需溫度，所以會導致石墨盤的清洗不干凈的問題。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型供了一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備，解決了晶片承載盤中間很難進行烘烤，由于溫度達不到清洗所需溫度，導致石墨盤的清洗不干凈的問題。

本實用新型一實施例提供的一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備包括：第一盤體，包括第一凹槽；以及設置在所述第一凹槽中的第二盤體，所述第二盤體將所述第一凹槽分割成至少兩個晶片承載槽。

在一種實施方式中，所述第二盤體設置在所述第一盤體上的中心位置，其中，所述第一盤體和所述第二盤體之間可拆卸連接。

在一種實施方式中，所述第二盤體和所述第一盤體拼接的部分的形狀為以下形狀中的一種或多種：直線、弧形和波浪形。

在一種實施方式中，所述第二盤體將所述第一凹槽分割成至少三個晶片承載槽，至少三個所述晶片承載槽為圓形，其中至少三個所述晶片承載槽的中心連線構(gòu)成一個正多邊形。

在一種實施方式中，至少三個所述晶片承載槽的尺寸為以下尺寸中的一種或多種：150mm、300mm和450mm。

在一種實施方式中，所述第一盤體和所述第二盤體均為石墨制成。

一種化學氣相淀積設備，包括反應腔室，其中上述任一所述晶片承載盤設置在所述反應腔室內(nèi)。

本實用新型實施例提供的一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備，通過將晶片承載盤設置成第一盤體和第二盤體，可分別將第一盤體和第二盤體放入清洗設備中進行烘烤，解決了晶片承載盤中間很難進行烘烤，由于溫度達不到清洗所需溫度，導致石墨盤的清洗不干凈的問題。

附圖說明

圖1所示為本實用新型一實施例提供的一種晶片承載盤的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2所示為本實用新型一實施例提供的一種晶片承載盤的第一盤體的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3所示為本實用新型一實施例提供的一種石墨盤的A-A’剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4所示為本實用新型另一實施例提供的一種晶片承載盤的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5所示為本實用新型另一實施例提供的一種晶片承載盤的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6所示為本實用新型一實施例提供的一種晶片承載盤的清洗方法流程示意圖。

附圖標記說明：1第一盤體；2第二盤體；3第一凹槽。

具體實施方式