[實用新型]一種晶片承載盤及化學氣相淀積設備有效
| 申請號: | 201922319293.0 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN211947213U | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發明(設計)人: | 劉凱;程凱 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶湛半導體有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人: | 李浩 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶片 承載 化學 氣相淀積 設備 | ||
1.一種晶片承載盤,其特征在于,包括:
第一盤體,包括第一凹槽;以及
設置在所述第一凹槽中的第二盤體,所述第二盤體將所述第一凹槽分割成至少兩個晶片承載槽;
所述第二盤體設置在所述第一盤體上的中心位置,其中,所述第一盤體和所述第二盤體之間可拆卸連接。
2.根據權利要求1所述的晶片承載盤,其特征在于,所述第二盤體和所述第一盤體拼接的部分的形狀為以下形狀中的一種或多種:直線、弧形和波浪形。
3.根據權利要求1所述的晶片承載盤,其特征在于,所述第二盤體將所述第一凹槽分割成至少三個晶片承載槽,至少三個所述晶片承載槽為圓形,其中至少三個所述晶片承載槽的中心連線構成一個正多邊形。
4.根據權利要求3所述的晶片承載盤,其特征在于,至少三個所述晶片承載槽的尺寸為以下尺寸中的一種或多種:150mm、300mm和450mm。
5.根據權利要求1所述的晶片承載盤,其特征在于,所述第一盤體和所述第二盤體均為石墨制成。
6.一種化學氣相淀積設備,其特征在于,包括反應腔室,其中上述權利要求1-5任一所述晶片承載盤設置在所述反應腔室內。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





