[實用新型]晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置有效
| 申請號: | 201922317679.8 | 申請日: | 2019-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN211394663U | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 王振榮;劉紅兵;盧鵬;方琴劍 | 申請(專利權)人: | 上海新陽半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C25D7/12 | 分類號: | C25D7/12;C25D5/02;C25D5/08;C25D17/02;C25D17/08;C25D21/00 |
| 代理公司: | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓濕制程設 備用 電鍍 裝置 | ||
本實用新型公開了一種晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置,包括具有電鍍用容腔的電鍍槽殼體,所述電鍍槽殼體內設有相鄰且可拆換的晶圓掛具部及電鍍擴散與屏蔽部,所述晶圓掛具部設有單面顯露口用于顯露出晶圓的電鍍面一側,所述電鍍擴散與屏蔽部設有正對于所述單面顯露口的多階導流面。本實用新型所提供的晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置,整體結構布置緊湊、內部結構精巧且功能全面,通過晶圓掛具部,可同時電鍍多塊晶圓,每塊晶圓只鍍一側表面,通過電鍍擴散與屏蔽部的多階導流面可使得電鍍液充分擴散,以保證電鍍液均勻地電鍍到晶圓上,達到厚度均勻的要求。
技術領域
本實用新型涉及一種晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置。
背景技術
晶圓(Wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。在制造時,需在晶圓上電鍍一層導電金屬,并對導電金屬層進行加工以制成導電線路。在電鍍過程中,需盡量使電鍍液均勻分布在晶圓上,因而,需要一種高效的晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足,提供一種晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置。
為實現以上目的,通過以下技術方案實現:
一種晶圓濕制程設備用晶圓電鍍裝置,包括具有電鍍用容腔的電鍍槽殼體,所述電鍍槽殼體內設有相鄰且可拆換的晶圓掛具部及電鍍擴散與屏蔽部,所述晶圓掛具部設有單面顯露口用于顯露出晶圓的電鍍面一側,所述電鍍擴散與屏蔽部設有正對于所述單面顯露口的多階導流面。
優選地,所述電鍍槽殼體內設有電鍍液管路及殼內支撐體,所述電鍍液管路設于所述電鍍槽殼體的底部,所述殼內支撐體設于所述電鍍槽殼體的底部及兩側,所述晶圓掛具部及所述電鍍擴散與屏蔽部安裝于所述殼內支撐體上,進而所述電鍍液管路由下而上向所述晶圓掛具部噴出電鍍液。
優選地,所述電鍍液管路上均勻排布有向上噴射的多個電鍍液噴孔。
優選地,所述電鍍槽殼體通過隔板分隔所述容腔進而形成中間主容腔及兩側次容腔,所述電鍍液管路、所述晶圓掛具部及所述電鍍擴散與屏蔽部均安裝于所述中間主容腔內,所述電鍍槽殼體的底部設有多個外接的進液管及排液管,所述進液管與所述電鍍液管路連通,所述排液管與所述兩側次容腔連通。
優選地,所述隔板的上部開設有排液縫,所述中間主容腔通過所述排液縫與所述兩側次容腔相互導通。
優選地,所述殼內支撐體包括支撐底塊以及支撐側板,所述支撐底塊跨設于所述電鍍液管路之上,所述支撐側板上設有支撐凸臺,所述晶圓掛具部及所述電鍍擴散與屏蔽部分別支設于所述支撐底塊以及所述支撐凸臺上進而位于所述電鍍液管路的正上方。
優選地,所述隔板的底部設有安裝卡口,所述支撐底塊的兩端分別卡設于所述安裝卡口。
優選地,所述支撐側板上設有沿高度方向延伸的插槽,所述插槽的底端緊挨于所述支撐凸臺,所述晶圓掛具部的兩側分別可拆卸地插設于所述插槽內,進而所述單面顯露口緊挨于所述電鍍擴散與屏蔽部。
優選地,對應所述插槽的頂端設有插座,所述晶圓掛具部的兩側設有支臂,所述支臂插設于所述插座上;所述支撐底塊上設有卡勾以供所述晶圓掛具部的底部邊緣對應插設。
優選地,所述晶圓掛具部包括線路導電基板以及蓋板基座,所述線路導電基板上分別開設有多個晶圓安裝口,所述線路導電基板包括封蓋面一側以及電鍍面一側,所述蓋板基座由所述封蓋面一側封蓋于所述晶圓安裝口進而于所述電鍍面一側形成所述單面顯露口,所述晶圓安裝于線路導電基板與蓋板基座之間進而所述晶圓的電鍍面一側顯露于晶圓安裝口。
優選地,圍繞每個所述晶圓安裝口的四周設有安裝口單元,所述安裝口單元包括形成于所述封蓋面一側上的蓋槽以供所述蓋板基座適配卡設于所述蓋槽,所述蓋槽的四周連通有多個線槽以供安裝導線。
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