[實用新型]一種花籃有效
| 申請號: | 201922285752.8 | 申請日: | 2019-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN210778523U | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 劉運宇;鄧偉偉;蔣方丹 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 花籃 | ||
1.一種花籃,包括兩個相對設置的底座(10)和設置在兩個所述底座(10)之間的支撐桿,硅片(40)插設于所述支撐桿形成的空間內,其特征在于,所述支撐桿設置有三組,分別為設置于所述硅片(40)沿寬度方向兩側的第一支撐桿組和第二支撐桿組,以及設于所述硅片(40)底部的第三支撐桿組,每個支撐桿組均包括至少兩個所述支撐桿;
所述第一支撐桿組的第一支撐桿(21)和所述第二支撐桿組的第二支撐桿(22)沿所述硅片(40)的高度方向依次交錯分布。
2.根據權利要求1所述的花籃,其特征在于,所述硅片(40)側邊的上部和下部中的其中一處設有所述第一支撐桿(21),另一處設有所述第二支撐桿(22)。
3.根據權利要求1所述的花籃,其特征在于,所述第一支撐桿(21)和所述第二支撐桿(22)均設于所述硅片(40)側邊的端部及等分點處,且任意相鄰的所述第一支撐桿(21)和所述第二支撐桿(22)之間的高度差相等。
4.根據權利要求2所述的花籃,其特征在于,所述第三支撐桿組的第三支撐桿(23)與所述硅片(40)側邊下部的支撐桿在所述硅片(40)的寬度方向上間隔分布。
5.根據權利要求4所述的花籃,其特征在于,所述第三支撐桿(23)支撐于所述硅片(40)底部寬度方向上的端部及等分點處。
6.根據權利要求5所述的花籃,其特征在于,所述底座(10)的頂部設置至少兩個壓桿(30),所述壓桿(30)與位于所述硅片(40)側邊上部的支撐桿在所述硅片(40)的寬度方向上間隔分布。
7.根據權利要求6所述的花籃,其特征在于,所述壓桿(30)壓設于所述硅片(40)頂部寬度方向上的端部及等分點處。
8.根據權利要求7所述的花籃,其特征在于,所述壓桿(30)與所述第三支撐桿(23)沿所述硅片(40)的寬度方向依次交錯分布。
9.根據權利要求7所述的花籃,其特征在于,每個支撐桿組均包括兩個所述支撐桿,兩個所述第一支撐桿(21)分別設于所述硅片(40)左側的下部和左側的上三分之一處,兩個所述第二支撐桿(22)則分別設于所述硅片(40)右側的下三分之一處和右側的上部,兩個所述第三支撐桿(23)分別支撐于所述硅片(40)底部的右側和底部的左三分之一處,兩個所述壓桿(30)分別壓設于所述硅片(40)頂部的左側和頂部的右三分之一處。
10.根據權利要求6所述的花籃,其特征在于,所述壓桿(30)、所述第一支撐桿(21)和所述第二支撐桿(22)上均設置卡槽,所述硅片(40)卡接于所述卡槽內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





