[實用新型]一種鈣鈦礦薄膜制備裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922236271.8 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN210628348U | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉生忠;杜敏永;王立坤;王開;王輝;秦煒;曹越先;孫友名;段連杰;焦玉驍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院大連化學物理研究所 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 汪海 |
| 地址: | 116023 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 薄膜 制備 裝置 | ||
本實用新型涉及太陽能電池生產(chǎn)技術領域,具體地說是一種鈣鈦礦薄膜制備裝置,包括鈣鈦礦涂膜調(diào)整裝置、反溶劑涂膜調(diào)整裝置和襯底傳輸機構(gòu),鈣鈦礦涂膜調(diào)整裝置和反溶劑涂膜調(diào)整裝置均設于襯底傳輸機構(gòu)上方,鈣鈦礦涂膜調(diào)整裝置包括第一調(diào)整車、第一流量控制閥和鈣鈦礦涂膜元件,且鈣鈦礦涂膜元件可升降地設于第一調(diào)整車上并通過第一流量控制閥控制流量,反溶劑涂膜調(diào)整裝置包括第二調(diào)整車、第二流量控制閥和反溶劑涂膜元件,且反溶劑涂膜元件可升降地設于第二調(diào)整車上并通過第二流量控制閥控制流量。本實用新型在濕膜刮涂后直接采用反溶劑后處理的方法來制備鈣鈦礦薄膜,可以實現(xiàn)在低溫下制備大面積、均勻無針孔的鈣鈦礦薄膜。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制備領域,具體地說是一種鈣鈦礦薄膜制備裝置。
背景技術
近年來,鈣鈦礦電池由于制備費用低、高效率、帶隙可調(diào)、吸收系數(shù)高等優(yōu)勢得到了極大的關注,短短幾年內(nèi)光電轉(zhuǎn)換效率從3.8%提高到23.7%。鈣鈦礦電池在成為光伏器件領域研究熱點的同時,也吸引了很多公司去實現(xiàn)鈣鈦礦電池的產(chǎn)業(yè)化。
目前鈣鈦礦電池存在穩(wěn)定性不好和大面積制備技術等難題。現(xiàn)有技術中,實驗室高效率制備的技術通常采用旋涂方法,但該方法無法滿足產(chǎn)業(yè)化的需求。為了進一步提高產(chǎn)業(yè)化的效率和降低成本,很多大面積制備技術得以提出,其中刮涂和狹縫涂布方法得到較多的關注。常規(guī)的刮涂和狹縫涂布制備鈣鈦礦的方法包括兩種方式:高溫熱臺制備和氮氣吹輔助成膜制備,兩種方法的優(yōu)勢是高度集成,適合產(chǎn)線的需求,但高溫熱臺法對柔性襯底的生產(chǎn)存在限制性,其制備溫度通常在140℃以上,PET等廉價的低熔點聚合物將無法使用,氮氣吹輔助成膜的方法符合低溫制備,但由于持續(xù)吹氣,在手套箱內(nèi)實現(xiàn)生產(chǎn)的難度較大。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種鈣鈦礦薄膜制備裝置,在濕膜刮涂后直接采用反溶劑后處理的方法來制備鈣鈦礦薄膜,無需高溫熱臺,也無需氮氣輔助便可以確保鈣鈦礦薄膜在低溫下制備,僅需后續(xù)的退火處理,可以實現(xiàn)在低溫下制備大面積、均勻無針孔的鈣鈦礦薄膜。
本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的:
一種鈣鈦礦薄膜制備裝置,包括鈣鈦礦涂膜調(diào)整裝置、反溶劑涂膜調(diào)整裝置和襯底傳輸機構(gòu),鈣鈦礦涂膜調(diào)整裝置和反溶劑涂膜調(diào)整裝置均設于襯底傳輸機構(gòu)上方,所述鈣鈦礦涂膜調(diào)整裝置包括第一調(diào)整車、第一流量控制閥和鈣鈦礦涂膜元件,且鈣鈦礦涂膜元件可升降地設于所述第一調(diào)整車上并通過所述第一流量控制閥控制流量,所述反溶劑涂膜調(diào)整裝置包括第二調(diào)整車、第二流量控制閥和反溶劑涂膜元件,且反溶劑涂膜元件可升降地設于第二調(diào)整車上并通過所述第二流量控制閥控制流量,所述第一調(diào)整車和第二調(diào)整車均沿著軌道行走。
所述第一調(diào)整車內(nèi)設有第一電機,所述第二調(diào)整車內(nèi)設有第二電機,所述第一電機和第二電機的輸出軸上均設有齒輪,在所述軌道側(cè)壁上設有齒條,且各個齒輪均與所述齒條嚙合。
所述第一調(diào)整車內(nèi)設有第一升降裝置,所述鈣鈦礦涂膜元件通過所述第一升降裝置驅(qū)動升降,所述第二調(diào)整車內(nèi)設有第二升降裝置,所述反溶劑涂膜元件通過所述第二升降裝置驅(qū)動升降。
所述鈣鈦礦涂膜元件通過第一管路與鈣鈦礦液儲罐相連,且所述第一流量控制閥設于所述第一管路上,所述反溶劑涂膜元件通過第二管路與反溶劑儲罐相連,且所述第二流量控制閥設于所述第二管路上。
襯底先經(jīng)過鈣鈦礦涂膜元件涂布一層鈣鈦礦濕膜,且在鈣鈦礦濕膜未干時經(jīng)過反溶劑涂膜元件。
本實用新型的優(yōu)點與積極效果為:
1、本實用新型在鈣鈦礦濕膜刮涂后直接采用反溶劑后處理的方法來制備鈣鈦礦薄膜,無需高溫熱臺,也無需氮氣輔助便可以確保鈣鈦礦薄膜在低溫下制備,僅需后續(xù)的退火處理,可以實現(xiàn)在低溫下制備大面積、均勻無針孔的鈣鈦礦薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





