[實用新型]一種分層式像素補償電路

有效

• 申請號: 201922235305.1
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN210926020U
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 賈浩;羅敬凱
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;郭鵬飛

一種分層式像素補償電路，包括基板上設置的下層薄膜晶體管區、上層薄膜晶體管區、所述上層薄膜晶體管區與下層薄膜晶體管區之間還設置有絕緣層，上層薄膜晶體管區的電極與下層薄膜晶體管區的電極通過穿過絕緣層的連接線連接，上層薄膜晶體管區還圖案化有機發光二極管，上層薄膜晶體管區域的薄膜晶體管與下層薄膜晶體管區的薄膜晶體管連接成有機發光二極管的補償電路；區別于現有技術，上述技術方案通過設計基板上不同的下層薄膜晶體管區和上層薄膜晶體管區，最終通過在豎直方向上縮小像素補償電路的多個薄膜晶體管所占用的面積，使得單個像素的占用面積減小，最終提高屏幕的解析度。

技術領域

本實用新型涉及像素補償電路的設計，尤其涉及一種上下分層的新型像素補償電路設計。

背景技術

當今，隨著科技水平的不斷提升，人們對顯示器畫面的要求也在提高，即對高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等顯示器的解析度高達2000PPI 以上。對于OLED面板來說，面內2T1C Pixel電路會受到Vth漂移的影響導致面板發光亮度不均勻，需要補償電路提升面板顯示效果，而為了達到更好地補償效果，補償電路會有多個TFT，可能會有4T，5T，6T…，這樣TFT過多會使Pixel所占面積增大，進而導致面板容納的Pixel數量減少，即解析度變低，無法滿足高解析度的要求。

如今對面板的顯示品質需求水平越來越高，提高顯示器的解析度尤為重要。我們知道對于OLED面板來說，由于制程和老化的影響，如產生Vth漂移，會對面板顯示效果產生極大的影響，為了消除這一影響，OLED面板的Pixel 電路通常會增加TFT做補償電路，且通常補償效果越好，TFT會越多，這樣會導致Pixel所占面積過大，降低解析度；如將Pixel補償電路中Driving TFT 替換成電子遷移率更高的LTPS TFT，即LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，即低溫多晶氧化物)結構，可減小TFT尺寸，增大解析度，同時將電路做分層處理，原本6T1C的Pixel電路可分為上下兩層，上層3個Oxide TFT，下層3個LTPSTFT，進一步減小Pixel面積，增大解析度，同時實用LTPO可以兼具LTPS電子遷移率高與IGZO漏電流小的優勢。

因此，如何提高OLED面板的解析度，制造一種補償效果良好，并具有超高解析度的OLED面板是一項重要的課題。

發明內容

因此，需要提供一種新的分層式的像素補償電路，達到減小TFT排布面積，提高面板解析度的技術效果。

為實現上述目的，發明人提供了一種分層式像素補償電路，包括基板上設置的下層薄膜晶體管區、上層薄膜晶體管區、所述上層薄膜晶體管區與下層薄膜晶體管區之間還設置有絕緣層，上層薄膜晶體管區的電極與下層薄膜晶體管區的電極通過穿過絕緣層的連接線連接，上層薄膜晶體管區還圖案化有機發光二極管，上層薄膜晶體管區域的薄膜晶體管與下層薄膜晶體管區的薄膜晶體管連接成有機發光二極管的補償電路；

所述下層薄膜晶體管區包括薄膜晶體管T1、T2、T4以及電容C；上層薄膜晶體管區包括T3、T5、T6；所述T1的源極與Vdata連接，柵極接第一掃描信號，漏極與T2的源極和電容C的一端連接；所述T2的柵極與第三掃描信號連接，T2的漏極與T4的漏極連接；

所述T4的柵極還通過第一上下層接線與T3的漏極連接，所述T3的柵極與第一掃描信號連接，所述T3的源極與T5的漏極連接，T5的柵極與第二掃描信號連接，T5的源極與片上電壓VDD連接，T3的源極還通過第二上下層連接線與T4的源極連接；所述T2的漏極還通過第三上下層連接線與T6的漏極和發光像素的正極連接，T6的柵極與第一掃描信號連接，V6的源極與參考電壓Vref連接。

進一步地，所述下層薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管，下層薄膜晶體管區包括多晶硅有源層，多晶硅有源層與金屬電極連接，所述多晶硅有源層上包覆有阻隔層，所述阻隔層上設置有第一柵極層，所述多晶硅有源層、金屬電極及第一柵極層被圖案化為若干多晶硅薄膜晶體管，