[實用新型]一種分層式像素補償電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922235305.1
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN210926020U
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賈浩;羅敬凱
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;郭鵬飛

1.一種分層式像素補償電路，其特征在于，包括基板上設(shè)置的下層薄膜晶體管區(qū)、上層薄膜晶體管區(qū)、所述上層薄膜晶體管區(qū)與下層薄膜晶體管區(qū)之間還設(shè)置有絕緣層，上層薄膜晶體管區(qū)的電極與下層薄膜晶體管區(qū)的電極通過穿過絕緣層的連接線連接，上層薄膜晶體管區(qū)還圖案化有機發(fā)光二極管，上層薄膜晶體管區(qū)域的薄膜晶體管與下層薄膜晶體管區(qū)的薄膜晶體管連接成有機發(fā)光二極管的補償電路；

所述下層薄膜晶體管區(qū)包括薄膜晶體管T1、T2、T4以及電容C；上層薄膜晶體管區(qū)包括T3、T5、T6；所述T1的源極與Vdata連接，柵極接第一掃描信號，漏極與T2的源極和電容C的一端連接；所述T2的柵極與第三掃描信號連接，T2的漏極與T4的漏極連接；

所述T4的柵極還通過第一上下層接線與T3的漏極連接，所述T3的柵極與第一掃描信號連接，所述T3的源極與T5的漏極連接，T5的柵極與第二掃描信號連接，T5的源極與片上電壓VDD連接，T3的源極還通過第二上下層連接線與T4的源極連接；所述T2的漏極還通過第三上下層連接線與T6的漏極和發(fā)光像素的正極連接，T6的柵極與第一掃描信號連接，V6的源極與參考電壓Vref連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述下層薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管，下層薄膜晶體管區(qū)包括多晶硅有源層，多晶硅有源層與金屬電極連接，所述多晶硅有源層上包覆有阻隔層，所述阻隔層上設(shè)置有第一柵極層，所述多晶硅有源層、金屬電極及第一柵極層被圖案化為若干多晶硅薄膜晶體管，

所述上層薄膜晶體管區(qū)包括氧化物有源層，上層薄膜晶體管區(qū)圖案化有氧化物薄膜晶體管及AMOLED像素；

還包括連接線，所述多晶硅薄膜晶體管通過連接線與氧化物薄膜晶體管連接成像素補償電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述阻隔層及第一柵極層上還包覆有介質(zhì)層，介質(zhì)層設(shè)置在絕緣層下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述介質(zhì)層為氫化非晶氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述阻隔層為氧化硅或氧化鋁薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述絕緣層上還設(shè)置有平坦層，所述平坦層為有機絕緣材料薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述像素為LTPO像素。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層式像素補償電路，其特征在于，所述基板為玻璃基板。