[實用新型]一種氮化鋁陶瓷復合基板結構

有效

• 申請號: 201922230674.1
• 申請日: 2019-12-11
• 公開（公告）號: CN211471247U
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 汪鵬;徐艷
• 申請（專利權）人: 上海矽安光電科技有限公司
• 主分類號: C04B41/82
• 分類號: C04B41/82;C04B41/52
• 代理公司: 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙) 31243
• 代理人: 王奎宇;楊孟娟

本申請公開了一種氮化鋁陶瓷復合基板結構，包括：氮化鋁陶瓷基板、第一保護膜、第二保護膜以及NiCr金屬電路，所述第一保護膜沉積于所述氮化鋁陶瓷基板上，所述第二保護膜沉積于所述第一保護膜上，所述NiCr金屬電路通過電子束蒸發鍍膜的方式蒸鍍在所述第二保護膜上；其中，第一保護膜包括鈦膜。本申請在沉積第二保護膜之前先在氮化鋁陶瓷基板表面沉積一鈦膜，使得鈦膜作為氮化鋁陶瓷基板和第二保護膜之間的粘附層，從而增加了氮化鋁陶瓷基板與第二保護膜之間的粘附性；本申請在顯影過程氮化鋁陶瓷基板的表面與堿性溶液不接觸，避免了氮化鋁陶瓷基板的表面腐蝕，不影響后續的NiCr金屬和氮化鋁陶瓷表面的粘附性及最終產品性能。

技術領域

本申請涉及一種氮化鋁陶瓷復合基板結構，其適合用于安裝LED、功率電子元件、半導體激光器等，特別是用于安裝放熱的高輸出功率半導體激光器等半導體元件的金屬化陶瓷基板等。

背景技術

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優良的陶瓷材料，具有優異的熱傳導性、高溫絕緣性、低介電常數以及與Si相近的熱膨脹系數等性能，其作為基片材料，廣泛應用于航空，航天及其它智能功率系統，被認為是新一代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。氮化鋁(AlN)作為基片材料用于微電子系統封裝中，在其表面進行金屬化電路是非常必要的。特別是高精度的薄膜電路，要在氮化鋁陶瓷表面做微米級的電路，光刻技術是首選工藝。光刻的原理是將感光材料涂布與基材表面，然后用事先制作的掩膜版曝光，然后用堿性顯影液顯影，得到電路圖形。

光刻顯影液通常是強堿溶液，氮化鋁陶瓷表面容易與強堿反應。如果采用粗糙度小于0.03um的氮化鋁陶瓷，反應后表面粗糙度會嚴重惡化，實驗數據表明經過顯影液腐蝕，粗糙度可以從0.03um變化到0.3um，嚴重影響后續的NiCr金屬和氮化鋁陶瓷表面的粘附性及最終產品性能。

實用新型內容

針對上述現有技術的缺點或不足，本申請要解決的技術問題是提供一種一種氮化鋁陶瓷復合基板結構。

為解決上述技術問題，本申請通過以下技術方案來實現：

一種氮化鋁陶瓷復合基板結構，包括：氮化鋁陶瓷基板、第一保護膜、第二保護膜以及NiCr金屬電路，

所述第一保護膜沉積于所述氮化鋁陶瓷基板上，所述第二保護膜沉積于所述第一保護膜上，

所述NiCr金屬電路通過電子束蒸發鍍膜的方式蒸鍍在所述第二保護膜上；

其中，第一保護膜包括鈦膜。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述第二保護膜包括二氧化硅膜和氮化硅膜中的至少一種。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述第一保護膜沉積于所述氮化鋁陶瓷基板的正反兩面。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述氮化鋁陶瓷基板單面拋光的粗糙度小于0.03μm。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述第一保護膜的沉積厚度為0.1-0.2μm。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述第一保護膜的沉積厚度為0.1-0.15μm。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述第二保護膜的沉積厚度為1-2μm。

進一步地，上述的氮化鋁陶瓷復合基板結構，其中，所述第二保護膜的沉積厚度為1-1.5μm。

與現有技術相比，本申請具有如下技術效果：