[實(shí)用新型]一種氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922230674.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN211471247U | 公開（公告）日： | 2020-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪鵬;徐艷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海矽安光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C04B41/82 | 分類號(hào)： | C04B41/82;C04B41/52 |
| 代理公司： | 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;楊孟娟 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氮化 陶瓷 復(fù)合 板結(jié) | ||
1.一種氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：氮化鋁陶瓷基板、第一保護(hù)膜、第二保護(hù)膜以及NiCr金屬電路，
所述第一保護(hù)膜沉積于所述氮化鋁陶瓷基板上，所述第二保護(hù)膜沉積于所述第一保護(hù)膜上，
所述NiCr金屬電路通過電子束蒸發(fā)鍍膜的方式蒸鍍?cè)谒龅诙Ｗo(hù)膜上；
其中，第一保護(hù)膜包括鈦膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二保護(hù)膜包括二氧化硅膜和氮化硅膜中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一保護(hù)膜沉積于所述氮化鋁陶瓷基板的正反兩面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化鋁陶瓷基板單面拋光的粗糙度小于0.03μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一保護(hù)膜的沉積厚度為0.1-0.2μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一保護(hù)膜的沉積厚度為0.1-0.15μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二保護(hù)膜的沉積厚度為1-2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化鋁陶瓷復(fù)合基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二保護(hù)膜的沉積厚度為1-1.5μm。
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