[實(shí)用新型]一種石英晶片上料裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922209569.X
• 申請(qǐng)日: 2019-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN210866142U
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫宗均
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海東錦石英科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/677
• 分類號(hào): H01L21/677
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 王賢義

本實(shí)用新型公開了一種石英晶片上料裝置，旨在提供一種使用方便及上料效率高的石英晶片上料裝置。本實(shí)用新型包括電磁振動(dòng)體及圓形振動(dòng)盤，所述圓形振動(dòng)盤配合設(shè)置在所述電磁振動(dòng)體上，所述圓形振動(dòng)盤上配合設(shè)置有螺旋運(yùn)料槽，所述螺旋運(yùn)料槽由內(nèi)到外逐漸變窄，所述螺旋運(yùn)料槽包括上料槽及分料槽，所述分料槽內(nèi)側(cè)端口與所述上料槽的外側(cè)端口相接，所述分料槽的寬度與單片晶片的厚度相適配，所述分料槽的側(cè)端還開有吹氣孔，所述吹氣孔的高度略高于單片晶片的高度。本實(shí)用新型應(yīng)用于上料裝置的技術(shù)領(lǐng)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種上料裝置,特別涉及一種石英晶片上料裝置。

背景技術(shù)

石英晶片在電子產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用量極大，在生產(chǎn)過程中需要晶片逐一取送進(jìn)行角度測(cè)量和角度范圍分檔。傳統(tǒng)的石英晶片上料裝置所使用的上料傳輸技術(shù)，為底抽式的送片裝置，晶片通過人工按照外形尺寸手動(dòng)進(jìn)行整理碼齊，然后疊放在片匣中，固定好蓋子，當(dāng)晶片匣自右向左運(yùn)行時(shí)，晶片匣內(nèi)最底層的一片晶片被吸住而從片匣的右側(cè)底端的縫隙被抽出，再由取片裝置取走，這種方式需經(jīng)手工整理，上料效率低。因此目前需要研發(fā)出一種使用方便及上料效率高的石英晶片上料裝置。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種使用方便及上料效率高的石英晶片上料裝置。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：本實(shí)用新型包括電磁振動(dòng)體及圓形振動(dòng)盤，所述圓形振動(dòng)盤配合設(shè)置在所述電磁振動(dòng)體上，所述圓形振動(dòng)盤上配合設(shè)置有螺旋運(yùn)料槽，所述螺旋運(yùn)料槽由內(nèi)到外逐漸變窄，所述螺旋運(yùn)料槽包括上料槽及分料槽，所述分料槽內(nèi)側(cè)端口與所述上料槽的外側(cè)端口相接，所述分料槽的寬度與單片晶片的厚度相適配，所述分料槽的側(cè)端還開有吹氣孔，所述吹氣孔的高度略高于單片晶片的高度。

進(jìn)一步，所述圓形振動(dòng)盤上開有與所述螺旋運(yùn)料槽相連通的出料口。

本實(shí)用新型的有益效果是：相對(duì)于傳統(tǒng)技術(shù)存在上料效率低的狀況，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，將石英晶片放置在所述圓形振動(dòng)盤的底部，晶片在所述電磁振動(dòng)體及所述圓形振動(dòng)盤的作用下進(jìn)入到所述上料槽中，從低到高，從內(nèi)到外，進(jìn)一步石英晶片從所述上料槽進(jìn)入到所述分料槽中，在此過程中，由于所述分料槽的通道逐漸越窄，最終所述分料槽通道的厚度僅能讓單片石英晶片通過，但此時(shí)仍有若干個(gè)石英晶片上下堆疊通過所述分料槽，進(jìn)一步通過所述吹氣孔進(jìn)行吹氣，除了最底下的一塊石英晶片以外，其余堆疊的石英晶片均被吹到所述圓形振動(dòng)盤的底部，因此，本實(shí)用新型能夠保證對(duì)石英晶片一片片的進(jìn)行上料，且不需要人工干預(yù)，能夠提高上料效率，所以，本實(shí)用新型具有使用方便及上料效率高的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型另一角度的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是吹氣孔位于分料槽側(cè)端上的平面示意圖。

具體實(shí)施方式