[實用新型]一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922169766.3
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN211226362U
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施光明;李宇辰;王琳;郭光偉;吉紅平;陳宏博;何乃棟;李亞昆;李勇明;曹得虎;蒲澤軍
• 申請（專利權(quán)）人: 亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術(shù)有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035;H01B17/58
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)，包括電極體(8)，其特征在于：所述電極體(8)上端設(shè)有電極頭(5)，所述電極體(8)下端安裝有接電口(3)，所述電極體(8)外部包裹有絕緣組件(2)，所述絕緣組件(2)上端設(shè)有上凸緣(4)，所述電極頭(5)外部包裹有固定結(jié)構(gòu)(7)，所述固定結(jié)構(gòu)(7)內(nèi)插設(shè)有硅芯(6)，所述硅芯(6)外側(cè)套設(shè)有墊片(71)，所述絕緣組件(2)插設(shè)于還原爐底盤(1)內(nèi)，所述絕緣組件(2)下端設(shè)有螺紋帽(21)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上凸緣(4)的底部半徑大于還原爐底盤(1)所設(shè)的插口半徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅芯(6)下端與電極頭(5)相接觸，且硅芯(6)半徑小于固定結(jié)構(gòu)(7)所設(shè)硅芯(6)插口的半徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上凸緣(4)與絕緣組件(2)為一體式結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述固定結(jié)構(gòu)(7)穩(wěn)定落在電極頭(5)上，固定結(jié)構(gòu)(7)將電極頭(5)上端面進(jìn)行全部覆蓋，并在固定結(jié)構(gòu)(7)上端面開設(shè)限位孔用來插設(shè)硅芯(6)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣組件(2)的高度大于還原爐底盤(1)的高度。