[實用新型]一種多晶硅還原爐電極的絕緣結構有效
| 申請號: | 201922169766.3 | 申請日: | 2019-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN211226362U | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 施光明;李宇辰;王琳;郭光偉;吉紅平;陳宏博;何乃棟;李亞昆;李勇明;曹得虎;蒲澤軍 | 申請(專利權)人: | 亞洲硅業(青海)股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/035 | 分類號: | C01B33/035;H01B17/58 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 810007 青海*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 還原 電極 絕緣 結構 | ||
本實用新型公開一種多晶硅還原爐電極的絕緣結構,包括電極體,所述電極體上端設有電極頭,所述電極體下端安裝有接電口,所述電極體外部包裹有絕緣組件,所述絕緣組件上端設有上凸緣,所述電極頭外部包裹有固定結構,所述固定結構內插設有硅芯,所述硅芯外側套設有墊片,所述絕緣組件插設于還原爐底盤內,所述絕緣組件下端設有螺紋帽,本裝置采用絕緣材料將電極包裹進行融合形成一體,安裝于還原爐底盤上預留安裝電極的孔中,之后在裸露的電極頭上部安放硅芯固定結構,再進一步安裝硅芯,保證硅芯與電極良好接觸,以此可保證還原爐在運行過程中大量降低電流擊穿結緣結構致使故障停爐的事故產生。
技術領域
本實用新型涉及多晶硅生產技術領域,具體為一種多晶硅還原爐電極的絕緣結構。
背景技術
多晶硅還原爐電極絕緣結構隨著工藝的越來越成熟,目前電極絕緣結構主要是將電極套在絕緣套上后安裝在底盤上,從而能夠達到電極與底盤的絕緣要求,但這種絕緣方式會造成還原爐在運行過程中因高溫高電流容易發生電極電流擊穿絕緣套而產生接地停爐故障,為了解決這個問題,本實用新型提出一種多晶硅還原爐電級絕緣結構。為此,我們提出一種多晶硅還原爐電極的絕緣結構。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種多晶硅還原爐電極的絕緣結構,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種多晶硅還原爐電極的絕緣結構,包括電極體,所述電極體上端設有電極頭,所述電極體下端安裝有接電口,所述電極體外部包裹有絕緣組件,所述絕緣組件上端設有上凸緣,所述電極頭外部包裹有固定結構,所述固定結構內插設有硅芯,所述硅芯外側套設有墊片,所述絕緣組件插設于還原爐底盤內,所述絕緣組件下端設有螺紋帽。
優選的,所述上凸緣的底部半徑大于還原爐底盤所設的插口半徑。
優選的,所述硅芯下端與電極頭相接觸,且硅芯半徑小于固定結構所設硅芯插口的半徑。
優選的,所述上凸緣與絕緣組件為一體式結構,且所使用的材料相同。
優選的,所述固定結構穩定落在電極頭上,固定結構將電極頭上端面進行全部覆蓋,并在固定結構上端面開設限位孔用來插設硅芯。
優選的,所述絕緣組件的高度大于還原爐底盤的高度。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:本裝置采用絕緣材料將電極包裹進行融合形成一體,安裝于還原爐底盤上預留安裝電極的孔中,之后在裸露的電極頭上部安放硅芯固定結構,再進一步安裝硅芯,保證硅芯與電極良好接觸,以此可保證還原爐在運行過程中大量降低電流擊穿結緣結構致使故障停爐的事故產生。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖;
圖2為本實用新型硅芯結構示意圖。
圖中:1還原爐底盤、2絕緣組件、21螺紋帽、3接電口、4上凸緣、5電極頭、6硅芯、7固定結構、71墊片、8電極體。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
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