[實用新型]一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922160701.2 | 申請日: | 2019-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN211005608U | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬毅;黃先偉;宋宇軒;俞越翎;謝續(xù)友;吳伊帆;張?zhí)┤A | 申請(專利權(quán))人: | 浙江工業(yè)大學 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C14/35 |
| 代理公司: | 杭州浙科專利事務(wù)所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周紅芳 |
| 地址: | 310014 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 鍍膜 換樣 裝置 | ||
本實用新型公開了一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,包括真空室主腔及真空室副腔,所述真空室主腔與真空室副腔之間中間腔室,所述中間腔室分別與真空室主腔與真空室副腔相連通,所述中間腔室內(nèi)部設(shè)有導(dǎo)軌,所述導(dǎo)軌上配合設(shè)置導(dǎo)軌小車,所述導(dǎo)軌小車上設(shè)有基片儲備盤,所述基片儲備盤上沿其周向設(shè)有一組基片架,基片架上設(shè)有基片;所述導(dǎo)軌小車在導(dǎo)軌上水平移動,從而將基片架在真空室主腔與真空室副腔之間進行轉(zhuǎn)移,進而實現(xiàn)基片的轉(zhuǎn)移。本實用新型的有益效果是:通過設(shè)置中間腔室,并設(shè)置導(dǎo)軌及導(dǎo)軌小車,從而實現(xiàn)基片在真空室副腔和真空室主腔之間的快速高效轉(zhuǎn)移,節(jié)省成本,縮減真空室空間。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及真空加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置。
背景技術(shù)
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種,一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點,而上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
目前真空室副腔用來存放基片,通過真空機械手實現(xiàn)基片在真空室副腔和真空室主腔之間轉(zhuǎn)移,這種技術(shù)方案造價高昂,需要的空間大,然而真空室的空間十分寶貴。本實用新型旨在實現(xiàn)基片在真空室副腔和真空室主腔之間的快速高效轉(zhuǎn)移,節(jié)省成本,縮減真空室空間。
實用新型內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,本實用新型的目的在于實現(xiàn)基片在真空室副腔和真空室主腔之間的快速高效轉(zhuǎn)移,節(jié)省成本,縮減真空室空間。
本實用新型技術(shù)方案如下:
一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,包括真空室主腔及真空室副腔,所述真空室主腔與真空室副腔之間中間腔室,所述中間腔室分別與真空室主腔與真空室副腔相連通,所述中間腔室內(nèi)部設(shè)有導(dǎo)軌,所述導(dǎo)軌上配合設(shè)置導(dǎo)軌小車,所述導(dǎo)軌小車上設(shè)有基片儲備盤,所述基片儲備盤上沿其周向設(shè)有一組基片架,基片架上設(shè)有基片;所述導(dǎo)軌小車在導(dǎo)軌上水平移動,從而將基片架在真空室主腔與真空室副腔之間進行轉(zhuǎn)移,進而實現(xiàn)基片的轉(zhuǎn)移。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述真空室主腔內(nèi)設(shè)有基片盤,所述基片盤上沿其周向設(shè)有基片盤邊緣凸起,所述基片架的邊緣處有楔形凸起,且楔形凸起與基片盤邊緣凸起相配合,從而實現(xiàn)基片架的定位。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述基片架采用拱門型結(jié)構(gòu),包括半圓形架體及設(shè)置在半圓形架體端部的長方形架體。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述基片架端部設(shè)有銷孔,所述基片架端部插接設(shè)置圓柱體托,且圓柱體托通過銷軸插接安裝在銷孔上,實現(xiàn)與基片架的鉸接,所述圓柱體托端部固定設(shè)置長方體托。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述基片儲備盤上設(shè)有固定端,所述長方體托與固定端插接配合。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述圓柱體托左右位置分別設(shè)有左彈簧及右彈簧,且左彈簧及右彈簧)一端連接于圓柱體托上,另一端連接于基片架上。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述中間腔室上設(shè)有插板閥,并通過插板閥將真空室主腔與真空室副腔之間進行分隔。
所述的一種磁控濺射鍍膜儀換樣裝置,其特征在于,所述基片儲備盤底部設(shè)有真空電機,所述真空電機與基片儲備盤傳動連接。
本實用新型的有益效果是:通過設(shè)置中間腔室,并設(shè)置導(dǎo)軌及導(dǎo)軌小車,從而實現(xiàn)基片在真空室副腔和真空室主腔之間的快速高效轉(zhuǎn)移,節(jié)省成本,縮減真空室空間。
附圖說明
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





