[實用新型]封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922156336.8
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN210805767U
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張志偉
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

芯片組，包括沿垂直方向疊層設(shè)置的多個芯片單元，且各所述芯片單元至少一端形成有凹槽；

導(dǎo)電膜層，隨形貼合于所述凹槽表面；

引線，一端連接于所述導(dǎo)電膜層，另一端延伸至所述芯片單元外側(cè)；

封裝層，至少設(shè)于各所述芯片單元之間，用于將各所述芯片單元固定連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線包括凸點和導(dǎo)線，所述凸點與所述導(dǎo)電膜層接觸連接，所述導(dǎo)線連接于所述凸點遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電膜層的一側(cè)，并延伸至所述芯片單元外側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸點連接于所述凹槽的側(cè)壁，所述導(dǎo)線沿所述芯片單元的延伸方向向外延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸點連接于所述凹槽的底部，所述導(dǎo)線在所述凹槽內(nèi)彎折并沿所述芯片單元的延伸方向向外延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層延伸至所述芯片單元的頂表面，并覆蓋于所述芯片單元頂表面的焊墊上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：

襯底，所述芯片組設(shè)于所述襯底上，所述封裝層設(shè)于所述襯底與所述芯片組之間，用于將所述芯片組與所述襯底固定連接；

所述襯底包括導(dǎo)電體，所述引線的另一端連接于所述導(dǎo)電體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度為10um～60um，所述凹槽的深度為30um～60um。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝層的厚度為10um。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)。