[實(shí)用新型]一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922145223.8
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號(hào): CN210956541U
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張曉易;張文平
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海市伊諾電氣有限公司
• 主分類號(hào): H01H33/66
• 分類號(hào): H01H33/66;H01H33/666;H01H33/38
• 代理公司: 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11465
• 代理人: 曹鵬飛

本實(shí)用新型公開了一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊，包括電容欠壓閉鎖合分閘電路、分合閘回讀電路、防誤驅(qū)動(dòng)電路、輸入電路和MCU；其中，電容欠壓閉鎖合分閘電路通過MCU分別與分合閘回讀電路、防誤驅(qū)動(dòng)電路電性連接；電容欠壓閉鎖合分閘電路根據(jù)電容的充電情況進(jìn)行閉鎖和正常合分閘操作；分合閘回讀電路根據(jù)接收輸入電路的命令判斷永磁驅(qū)動(dòng)模塊是否正常；防誤驅(qū)動(dòng)電路的兩路光耦采用互鎖驅(qū)動(dòng)。本實(shí)用新型提供了一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊，儲(chǔ)能電容未充滿無法進(jìn)行分合閘操作，延長儲(chǔ)能電容的使用壽命，解決了一二次廠家因操作不成功的糾紛；解決了因外界干擾或上電瞬間造成儲(chǔ)能電容短路和IGBT損壞等問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電力設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊。

背景技術(shù)

隨著社會(huì)科技程度的提高，電力行業(yè)及廣大終端用戶對開關(guān)設(shè)備的性能要求愈來愈高。目前，6-35KV系列永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器在發(fā)達(dá)國家作為中壓斷路器已被廣泛使用，具有高可靠性，結(jié)構(gòu)簡單，安全性，使用壽命長等特點(diǎn)。

但是現(xiàn)有永磁驅(qū)動(dòng)模塊存在通用性低，對外接口沒有統(tǒng)一，無法適用于其他永磁開關(guān)；儲(chǔ)能電容電壓沒有檢測功能，可能造成操作失敗；分合操作不成功造成的事故，一二次廠家互相推卸責(zé)任；在上電瞬間或者外界干擾下，電容短路和IGBT損壞等問題。

針對以上缺陷，如何提供一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊，儲(chǔ)能電容未充滿無法進(jìn)行分合閘操作，延長儲(chǔ)能電容的使用壽命，解決了一二次廠家因操作不成功的糾紛；解決了因外界干擾或上電瞬間造成儲(chǔ)能電容短路和IGBT損壞等問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊，包括電容欠壓閉鎖合分閘電路、分合閘回讀電路、防誤驅(qū)動(dòng)電路、輸入電路和MCU；其中，所述電容欠壓閉鎖合分閘電路通過所述MCU分別與所述分合閘回讀電路、所述防誤驅(qū)動(dòng)電路電性連接；所述電容欠壓閉鎖合分閘電路根據(jù)電容的充電情況進(jìn)行閉鎖和正常合分閘操作；所述分合閘回讀電路根據(jù)接收所述輸入電路的命令判斷所述永磁驅(qū)動(dòng)模塊是否正常；所述防誤驅(qū)動(dòng)電路的兩路光耦采用互鎖驅(qū)動(dòng)。

優(yōu)選的，在上述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊中，所述電容欠壓閉鎖合分閘電路包括第一光耦；所述第一光耦的A腳與第五電阻連接并與VC1連接；所述第一光耦的K腳分別與第二電容的一端、穩(wěn)壓源的K 腳連接；所述第二電容的另一端與第六電阻、第七電阻連接，并與CO+連接；所述第六電阻與所述穩(wěn)壓源的R腳與第八電阻連接，并接地；所述第七電阻與所述第八電阻連接；所述穩(wěn)壓源的A腳接地；所述第一光耦的C腳與所述MCU的輸入端連接；所述第一光耦的E腳接地。

優(yōu)選的，在上述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊中，所述分合閘回讀電路包括：第二光耦和第三光耦；所述第二光耦和所述第三光耦的C腳與所述MCU連接；所述第二光耦和所述第三光耦的E腳接地；所述第二光耦和所述第三光耦的K腳接地；所述第二光耦和所述第三光耦的A腳與所述防誤驅(qū)動(dòng)電路連接。

優(yōu)選的，在上述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅(qū)動(dòng)模塊中，所述防誤驅(qū)動(dòng)電路包括第六光耦、第七光耦、第八光耦、第九光耦、IGBT；所述第六光耦的A腳分別與所述第七光耦的K腳、第八光耦的A腳、第九光耦的 K腳連接，并與所述MCU的第一IO口連接；所述六光耦的K腳分別與所述第七光耦的A腳、第八光耦的K腳、第九光耦的A腳連接，并與第二IO口連接；所述第六光耦、所述第七光耦、所述第八光耦、所述第九光耦的輸出端分別連接一個(gè)所述IGBT的G極連接；四個(gè)所述IGBT和永磁機(jī)構(gòu)構(gòu)成H 橋結(jié)構(gòu)。