[實用新型]一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊有效
| 申請號: | 201922145223.8 | 申請日: | 2019-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN210956541U | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 張曉易;張文平 | 申請(專利權)人: | 珠海市伊諾電氣有限公司 |
| 主分類號: | H01H33/66 | 分類號: | H01H33/66;H01H33/666;H01H33/38 |
| 代理公司: | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 曹鵬飛 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市香洲區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶欠壓 閉鎖 操作 永磁 驅動 模塊 | ||
1.一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊,其特征在于,包括電容欠壓閉鎖合分閘電路、分合閘回讀電路、防誤驅動電路、輸入電路和MCU;其中,所述電容欠壓閉鎖合分閘電路通過所述MCU分別與所述分合閘回讀電路、所述防誤驅動電路電性連接;所述電容欠壓閉鎖合分閘電路根據電容的充電情況進行閉鎖和正常合分閘操作;所述分合閘回讀電路根據接收輸入電路的命令判斷所述永磁驅動模塊是否正常;所述防誤驅動電路的兩路光耦采用互鎖驅動。
2.根據權利要求1所述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊,其特征在于,所述電容欠壓閉鎖合分閘電路包括第一光耦;所述第一光耦的A腳與第五電阻連接并與VC1連接;所述第一光耦的K腳分別與第二電容的一端、穩壓源的K腳連接;所述第二電容的另一端與第六電阻、第七電阻連接,并與CO+連接;所述第六電阻與所述穩壓源的R腳與第八電阻連接,并接地;所述第七電阻與所述第八電阻連接;所述穩壓源的A腳接地;所述第一光耦的C腳與所述MCU的輸入端連接;所述第一光耦的E腳接地。
3.根據權利要求1所述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊,其特征在于,所述分合閘回讀電路包括:第二光耦和第三光耦;所述第二光耦和所述第三光耦的C腳與所述MCU連接;所述第二光耦和所述第三光耦的E腳接地;所述第二光耦和所述第三光耦的K腳接地;所述第二光耦和所述第三光耦的A腳與所述防誤驅動電路連接。
4.根據權利要求1所述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊,其特征在于,所述防誤驅動電路包括第六光耦、第七光耦、第八光耦、第九光耦、IGBT;所述第六光耦的A腳分別與所述第七光耦的K腳、第八光耦的A腳、第九光耦的K腳連接,并與所述MCU的第一IO口連接;所述六光耦的K腳分別與所述第七光耦的A腳、第八光耦的K腳、第九光耦的A腳連接,并與第二IO口連接;所述第六光耦、所述第七光耦、所述第八光耦、所述第九光耦的輸出端分別連接一個所述IGBT的G極連接;四個所述IGBT與永磁機構構成H橋結構。
5.根據權利要求4所述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊,其特征在于,所述H橋結構包括:永磁機構、第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT和第四IGBT;所述第一IGBT的G極與所述第七光耦的輸出端連接;所述第一IGBT的C極與所述第四IGBT的C極連接,并與電源CO+連接;所述第一IGBT的E極與所述第二IGBT的C極連接;所述第二IGBT的G極與所述第八光耦的輸出端連接;所述第二IGBT的E極與所述第三IGBT的E極連接并接地;所述第三IGBT的G極與所述第九光耦的輸出端連接;所述第三IGBT的C極與所述第四IGBT的E極連接;所述第四IGBT的G極與所述第六光耦的輸出端連接;所述第一IGBT和所述第二IGBT的連接點與所述第三IGBT和所述第四IGBT的連接點之間設置有所述永磁機構。
6.根據權利要求1-5任一項所述的一種帶欠壓閉鎖和防誤操作的永磁驅動模塊,其特征在于,所述輸入電路包括第四光耦和第五光耦;所述第四光耦輸入端接入外部輸入合命令,輸出端與所述MCU的輸入端連接;所述第五光耦輸入端接入外部輸入分命令,輸出端與所述MCU的輸入端連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于珠海市伊諾電氣有限公司,未經珠海市伊諾電氣有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922145223.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種滿足VW-1阻燃標準的尼龍編織線材
- 下一篇:一種小型臭氧發生器





