[實用新型]陶瓷板真空濺射鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201922137842.2
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號: CN211112195U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 王維昀;王新強;李永德;王后錦;袁冶;康俊杰
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 童海霓

本實用新型公開了一種陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其包括真空腔室、公轉工件架、內側圓柱濺射靶、內側平面濺射靶、內側離子源、外側圓柱濺射靶、外側平面濺射靶和外側離子源；內、外側離子源用于基片表面鍍膜前清潔及輔助沉積，有效提升鍍層與陶瓷基板的浸潤性和結合力；設有內、外側圓柱濺射靶和內、外側平面濺射靶，可以實現復合薄膜的高效沉積，也可以同時對平面狀或弧面狀的陶瓷基板進行單、雙面鍍膜加工，大大提升工作效率，而且是利用公轉工件架的公轉帶動陶瓷基板移動，陶瓷基板無需自轉，確保陶瓷基板與靶材的間隔的的恒定，有利于鍍膜的均勻性，也使得待鍍陶瓷基板與靶材及離子源之間可實現小間距設置，有效增強膜層附著力，鍍膜效果好。

技術領域

本實用新型涉及陶瓷板真空濺射鍍膜技術領域，具體涉及一種陶瓷板真空濺射鍍膜裝置。

背景技術

陶瓷基板具有良好的絕緣和導熱性能，在電子元器件封裝和特殊線路板領域具有廣闊的運用前景，陶瓷基板金屬化成為近年來的研究熱點。傳統的陶瓷板金屬化工藝多采用厚膜金屬漿料印刷，而DBC工藝（直接綁定銅）和DPC工藝（直接鍍銅）具有工藝溫度低，線路厚度可控等優點，近年來發展迅速。其中DPC工藝因可實現高精細線路，材料低形變，在高精密半導體器件封裝領域具有無可取代的優勢。

磁控濺射鍍膜工藝，具有成膜效率高，膜層結合力好等優點，成為DPC陶瓷表面首層金屬沉積的首選工藝。但由于陶瓷基板，如氮化鋁陶瓷，其表面與銅浸潤性較差，現有陶瓷濺射鍍膜裝置多沿用裝飾金屬件濺射鍍膜設備，沒有針對陶瓷基板特點做優化，所以仍無法保證陶瓷與金屬薄膜結合力的穩定性。

公開號“CN201169620”，名稱為“弧光離子源增強中頻磁控濺射裝置”，其由真空室、磁控濺射裝置、弧光離子源和基片架構成，磁控靶垂直安裝于真空室側面，配備有大功率中頻開關電源，背面通有循環冷卻水；弧光離子源陰極燈絲置于真空室的頂部，陰極燈絲由一個交流電源為燈絲供電，同時接弧電源的陰極，旋轉基片架的轉軸位于真空室中心，基片豎直放置，基片架下安置電極板，與弧電源的陽極相連接。其采用單體腔室，孿生對靶結構，工件公自轉。由于陶瓷片的片狀結構，為保證陶瓷板能夠順暢自轉，陶瓷板與濺射靶材間需保留較大間距。距離的增大不利于良好結合力的形成。而且由于陶瓷板面不同位置與靶材距離一種處于變化狀態，因此也不利于膜層均勻性的控制，難以保證鍍膜質量。

實用新型內容

針對上述不足，本實用新型的目的在于，提供一種結構設計合理，能提升鍍膜質量的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置。

為實現上述目的，本實用新型所提供的技術方案是：一種陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其包括真空腔室、公轉工件架、內側圓柱濺射靶、內側平面濺射靶、內側離子源、外側圓柱濺射靶、外側平面濺射靶和外側離子源，所述真空腔室內呈圓心對稱設有若干獨立子腔，各個獨立子腔上設有供公轉工件架作公轉動作時穿過的開槽，各個獨立子腔上的開槽連接起來形成所述公轉工件架作公轉動作時的公轉軌跡位，所述公轉工件架位于該公轉軌跡位上，所述內側圓柱濺射靶和外側圓柱濺射靶、所述內側平面濺射靶和外側平面濺射靶以及所述內側離子源和外側離子源兩兩相對位于所述公轉軌跡位的內側位置和外側位置，且分布在各個獨立子腔中；所述內側圓柱濺射靶、內側平面濺射靶、外側圓柱濺射靶和外側平面濺射靶的靶材前方位置設有在工作時能打開而不工作時能將靶材覆蓋的靶材擋板。

作為本實用新型的一種優選改進，所述獨立子腔的數量為四個。所述內側圓柱濺射靶的數量為兩個，所述外側圓柱濺射靶為兩個。結構設計合理，更能適用于弧面狀的陶瓷基板的雙面鍍膜加工。

作為本實用新型的一種優選改進，所述內側圓柱濺射靶、內側平面濺射靶、外側圓柱濺射靶和外側平面濺射靶均與一濺射電源相連接。這種設置方式，可靈活實現單面濺射鍍膜和雙面濺射鍍膜。