[實用新型]陶瓷板真空濺射鍍膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922137842.2
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號: CN211112195U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王維昀;王新強;李永德;王后錦;袁冶;康俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 童海霓

1.一種陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其包括真空腔室，其特征在于：其還包括公轉(zhuǎn)工件架、內(nèi)側(cè)圓柱濺射靶、內(nèi)側(cè)平面濺射靶、內(nèi)側(cè)離子源、外側(cè)圓柱濺射靶、外側(cè)平面濺射靶和外側(cè)離子源，所述真空腔室內(nèi)呈圓心對稱設(shè)有若干獨立子腔，各個獨立子腔上設(shè)有供公轉(zhuǎn)工件架作公轉(zhuǎn)動作時穿過的開槽，各個獨立子腔上的開槽連接起來形成所述公轉(zhuǎn)工件架作公轉(zhuǎn)動作時的公轉(zhuǎn)軌跡位，所述公轉(zhuǎn)工件架位于該公轉(zhuǎn)軌跡位上，所述內(nèi)側(cè)圓柱濺射靶和外側(cè)圓柱濺射靶、所述內(nèi)側(cè)平面濺射靶和外側(cè)平面濺射靶以及所述內(nèi)側(cè)離子源和外側(cè)離子源兩兩相對位于所述公轉(zhuǎn)軌跡位的內(nèi)側(cè)位置和外側(cè)位置，且分布在各個獨立子腔中；所述內(nèi)側(cè)圓柱濺射靶、內(nèi)側(cè)平面濺射靶、外側(cè)圓柱濺射靶和外側(cè)平面濺射靶的靶材前方位置設(shè)有在工作時能打開而不工作時能將靶材覆蓋的靶材擋板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述獨立子腔的數(shù)量為四個。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述內(nèi)側(cè)圓柱濺射靶的數(shù)量為兩個，所述外側(cè)圓柱濺射靶為兩個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述內(nèi)側(cè)圓柱濺射靶、內(nèi)側(cè)平面濺射靶、外側(cè)圓柱濺射靶和外側(cè)平面濺射靶均與一濺射電源相連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述內(nèi)側(cè)圓柱濺射靶、內(nèi)側(cè)平面濺射靶和內(nèi)側(cè)離子源分別與公轉(zhuǎn)軌跡位之間的間距為30～150mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述外側(cè)圓柱濺射靶、外側(cè)平面濺射靶和外側(cè)離子源分別與公轉(zhuǎn)軌跡位之間的間距為30～150mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項所述的陶瓷板真空濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述公轉(zhuǎn)工件架包括上圓環(huán)、下圓環(huán)、連桿和陶瓷板安裝架，多條連桿的上端連接在所述上圓環(huán)的下表面上，下端連接在所述下圓環(huán)的上表面上，所述陶瓷板安裝架定位在所述上圓環(huán)和下圓環(huán)上。