[實用新型]長波長GaInNAs/InGaAs復合量子點垂直腔面發射激光器有效
| 申請號： | 201922134675.6 | 申請日： | 2019-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN210693015U | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 黃珊珊;黃輝廉;文宏;葉旺;劉建慶 | 申請（專利權）人： | 中山德華芯片技術有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/30 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 馮炳輝 |
| 地址： | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波長 gainnas ingaas 復合 量子 垂直 發射 激光器 | ||
1.長波長GaInNAs/InGaAs復合量子點垂直腔面發射激光器，包括GaAs襯底，其特征在于：所述GaAs襯底為n型單晶片，即n型GaAs襯底，在所述n型GaAs襯底上表面按照層狀疊加結構由下至上依次設置有n型GaAs緩沖層、n型DBR、非摻雜量子點有源層和p型DBR，在所述p型DBR上制備有上電極，在所述n型GaAs襯底的下表面制備有下電極；其中，所述非摻雜量子點有源層由非摻雜GaInNAs/InGaAs復合量子點和非摻雜GaAs勢壘層混合而成，所述非摻雜GaInNAs/InGaAs復合量子點區分有內、外兩部分，其內部為呈3D島狀結構的GaInNAs量子點，其外部為InGaAs包覆層，所述InGaAs包覆層包覆GaInNAs量子點，通過調整InGaAs包覆層中的銦的含量來緩沖GaInNAs量子點與非摻雜GaAs勢壘層間由晶格常數差異導致的應力，通過調整GaInNAs量子點中的氮及銦的含量來控制激光器的發射波長達到1.31至1.55μm。
2.根據權利要求1所述的長波長GaInNAs/InGaAs復合量子點垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述GaInNAs量子點的生長溫度在480～520℃，直徑3nm至30nm。
3.根據權利要求1所述的長波長GaInNAs/InGaAs復合量子點垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述InGaAs包覆層的生長溫度在480～520℃，厚度為3nm至30nm。
4.根據權利要求1所述的長波長GaInNAs/InGaAs復合量子點垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述非摻雜GaAs勢壘層的厚度為5nm至50nm。
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