[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922128899.6
• 申請(qǐng)日: 2019-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN211480005U
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

依次堆疊的基底、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層內(nèi)具有第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞貫穿所述第一介質(zhì)層；所述第二介質(zhì)層內(nèi)具有第二導(dǎo)電插塞，所述第二導(dǎo)電插塞與所述第一導(dǎo)電插塞電連接；

間隙，所述間隙位于所述第二導(dǎo)電插塞與所述第二介質(zhì)層之間，且所述間隙貫穿所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層材料的相對(duì)介電常數(shù)小于所述第二介質(zhì)層材料的相對(duì)介電常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為二氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅；所述第一介質(zhì)層的材料為泡沫塑料或硅氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層內(nèi)的所述間隙的深寬比為10～20；所述第二介質(zhì)層內(nèi)的所述間隙的深寬比為10～20。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：絕緣層，所述絕緣層遮蓋所述間隙的頂部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層覆蓋所述第二介質(zhì)層以及所述第二導(dǎo)電插塞。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層的材料為碳化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電插塞包括位于電鍍種子層和電鍍層，所述電鍍種子層位于所述電鍍層側(cè)壁和底部，所述電鍍種子層與所述第一導(dǎo)電插塞電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電鍍種子層的材料為氮化鈦；所述電鍍層的材料為銅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電插塞的材料為鎢。