[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922122419.5
• 申請(qǐng)日: 2019-12-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210575928U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳秉桓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/488
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/488;H01L21/48;H01L21/603
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；包括：支撐層，包括焊盤(pán)區(qū)域；所述支撐層的焊盤(pán)區(qū)域內(nèi)形成有若干個(gè)凹槽；焊墊，位于所述支撐層上，且至少位于所述焊盤(pán)區(qū)域內(nèi)，所述焊墊部分嵌入所述凹槽內(nèi)。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通過(guò)在焊墊下方形成焊盤(pán)區(qū)域內(nèi)具有若干個(gè)凹槽的支撐層，在焊線鍵合工藝時(shí)即使焊墊平坦且大部分焊墊在鍵合壓力的作用下會(huì)被排擠開(kāi)來(lái)，但由于焊墊下方為具有凹槽的支撐層，焊線底部會(huì)部分區(qū)域陷入凹槽內(nèi)，使得焊線與焊墊的接觸面為凸凹不平狀，增大焊線與焊墊的接著性，降低焊線脫落的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的工藝中，在焊墊(Pad)上進(jìn)行焊線鍵合(wire bonding)工藝時(shí)，為了增加焊線與焊墊的接著性，需要在焊線鍵合工藝之前將焊墊的表面進(jìn)行粗糙化處理；然后，由于焊墊一般為硬度較軟的鋁，在焊線鍵合工藝時(shí)，在鍵合壓力(bonding force)的作用下，焊墊會(huì)很快被壓平造成粗糙表面失效而無(wú)法實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)焊線與焊墊的接著性的效果。同時(shí)，由于焊線將其下方的焊墊壓扁，在工作時(shí)電流僅能從焊線兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行，這將造成工作時(shí)的電流量顯著降低；且如果保護(hù)層中開(kāi)口太小或者打線打歪造成焊線臨近保護(hù)層時(shí)，擠壓后向外排除的焊墊層下方會(huì)將保護(hù)層向上掀開(kāi)或裂開(kāi)，或者導(dǎo)致焊墊外溢，從而造成品質(zhì)問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

支撐層，包括焊盤(pán)區(qū)域；所述焊盤(pán)區(qū)域內(nèi)的所述支撐層具有若干個(gè)凹槽；

焊墊，位于所述支撐層上，且至少位于所述焊盤(pán)區(qū)域內(nèi)，所述焊墊部分嵌入所述凹槽內(nèi)。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通過(guò)在焊墊下方形成焊盤(pán)區(qū)域內(nèi)具有若干個(gè)凹槽的支撐層，在焊線鍵合工藝時(shí)即使焊墊平坦且大部分焊墊在鍵合壓力的作用下會(huì)被排擠開(kāi)來(lái)，但由于焊墊下方為具有凹槽的支撐層，焊線底部會(huì)部分區(qū)域陷入凹槽內(nèi)，使得焊線與焊墊的接觸面為凸凹不平狀，增大焊線與焊墊的接著性，降低焊線脫落的風(fēng)險(xiǎn)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述支撐層為單層結(jié)構(gòu)，所述支撐層包括介質(zhì)層或聚合物層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述凹槽的深度小于等于所述支撐層的厚度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述支撐層為疊層結(jié)構(gòu)，所述支撐層包括：

第一材料層，所述第一材料層內(nèi)形成有初始凹槽，所述初始凹槽的深度小于等于所述第一材料層的厚度；

第二材料層，位于所述第一材料層的上表面、所述初始凹槽的側(cè)壁及所述初始凹槽的底部；所述第二材料層的厚度小于所述初始凹槽的深度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述支撐層為疊層結(jié)構(gòu)，所述支撐層包括：

第一材料層；

第二材料層，位于所述第一材料層的上表面，所述第二材料層內(nèi)具有若干個(gè)所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述第二材料層的厚度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一材料層為介質(zhì)層且所述第二材料層為聚合物層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一材料層為聚合物層且所述第二材料層為介質(zhì)層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

基底，所述基底內(nèi)形成有集成電路；

鈍化層，位于所述基底的上表面；所述支撐層位于所述鈍化層的上表面；

重布線層，位于所述支撐層上，且與所述集成電路及所述焊墊相連接；

種子層，位于所述支撐層與所述焊墊之間、所述重布線層與所述支撐層之間及所述重布線層與所述集成電路之間；