[實用新型]半導體結構

有效

• 申請號: 201922122419.5
• 申請日: 2019-12-02
• 公開（公告）號: CN210575928U
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/603
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

支撐層，包括焊盤區域；所述焊盤區域內的所述支撐層具有若干個凹槽；

焊墊，位于所述支撐層上，且至少位于所述焊盤區域內，所述焊墊部分嵌入所述凹槽內。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述支撐層為單層結構，所述支撐層包括介質層或聚合物層。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述支撐層的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述支撐層為疊層結構，所述支撐層包括：

第一材料層，所述第一材料層內形成有初始凹槽，所述初始凹槽的深度小于等于所述第一材料層的厚度；

第二材料層，位于所述第一材料層的上表面、所述初始凹槽的側壁及所述初始凹槽的底部；所述第二材料層的厚度小于所述初始凹槽的深度。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述支撐層為疊層結構，所述支撐層包括：

第一材料層；

第二材料層，位于所述第一材料層的上表面，所述第二材料層內具有若干個所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述第二材料層的厚度。

6.根據權利要求4或5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一材料層為介質層且所述第二材料層為聚合物層。

7.根據權利要求4或5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一材料層為聚合物層且所述第二材料層為介質層。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：基底，所述基底內具有集成電路結構；

鈍化層，位于所述基底的上表面；所述支撐層位于所述鈍化層的上表面；

重布線層，位于所述支撐層上，且與所述集成電路及所述焊墊相連接；

種子層，位于所述支撐層與所述焊墊之間、所述重布線層與所述支撐層之間及所述重布線層與所述集成電路結構之間；

保護層，位于所述支撐層的上表面，且覆蓋所述重布線層及所述焊墊；所述保護層內形成有開口，所述開口暴露出所述焊墊；

焊線，一端位于所述開口內，且與所述焊墊相連接。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述焊線的底部與所述凹槽的底部具有間距。

10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述開口的下部的所述保護層內具有缺口，以使得所述開口下部的寬度大于所述開口上部的寬度。