[實(shí)用新型]一種晶體生長(zhǎng)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922114666.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN211005717U | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙有文;段滿龍;盧偉;楊俊;劉京明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/10 | 分類號(hào)： | C30B29/10;C30B11/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291 | 代理人： | 閆有幸;楊煥軍 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體生長(zhǎng) 裝置 | ||
1.一種晶體生長(zhǎng)裝置，包括晶體生長(zhǎng)爐；其特征在于，還包括底座以及角度調(diào)整裝置；所述晶體生長(zhǎng)爐具有轉(zhuǎn)軸，所述晶體生長(zhǎng)爐通過(guò)所述轉(zhuǎn)軸安裝在所述底座上，與所述底座可活動(dòng)連接；所述角度調(diào)整裝置的驅(qū)動(dòng)端連接所述晶體生長(zhǎng)爐的所述轉(zhuǎn)軸；所述角度調(diào)整裝置驅(qū)動(dòng)所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)以調(diào)整所述晶體生長(zhǎng)爐的傾斜角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述晶體生長(zhǎng)爐的爐體為圓柱形結(jié)構(gòu)，所述晶體生長(zhǎng)爐的轉(zhuǎn)軸為凸出所述爐體表面、且相對(duì)于所述爐體的縱軸軸對(duì)稱的兩點(diǎn)處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述晶體生長(zhǎng)爐具有容納石英安瓿瓶的腔體，圍繞所述腔體，設(shè)置有加熱爐。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述加熱爐將所述晶體生長(zhǎng)爐劃分有若干個(gè)溫區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，各個(gè)溫區(qū)的溫度分別控制。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于珠海鼎泰芯源晶體有限公司，未經(jīng)珠海鼎泰芯源晶體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922114666.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 晶體生長(zhǎng)爐
- HTCVD法碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置
- GdAl<sub>3</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>4</sub>晶體生長(zhǎng)助熔劑及GdAl<sub>3</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>4</sub>晶體生長(zhǎng)方法
- 一種確定溶液晶體生長(zhǎng)溶解度曲線的光學(xué)顯微技術(shù)
- 反饋晶體生長(zhǎng)狀態(tài)的方法、晶體生長(zhǎng)控制方法及控制系統(tǒng)
- 晶體生長(zhǎng)界面擾動(dòng)的原位探測(cè)方法、控制方法及控制系統(tǒng)
- 晶體生長(zhǎng)加熱系統(tǒng)
- 一種晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)
- 晶體生長(zhǎng)裝置及方法
- 一種晶體生長(zhǎng)裝置
