[實用新型]濕法處理裝置

有效

• 申請號: 201922088059.1
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN211017021U
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 白靖宇
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B3/04
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

本實用新型實施例公開了一種濕法處理裝置，用于處理半導體基材；所述裝置包括：容納處理所述半導體基材所需處理液的第一儲液槽；容納從所述第一儲液槽頂部溢出的處理液的第二儲液槽；所述第一儲液槽具有導流部，所述導流部配置為：在所述第一儲液槽內的處理液溢出時沿著傾斜方向流入所述第二儲液槽內，所述傾斜方向與所述第一儲液槽的深度方向不平行。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件制造裝置技術領域，尤其涉及一種濕法處理裝置。

背景技術

在半導體器件的制造過程中，半導體基材的表面不可避免的出現被污染的情況；尤其是在經過刻蝕、研磨等工藝后，在半導體基材的表面容易產生雜質和聚合物殘留，這些殘留的雜質和聚合物會對后續的處理工藝造成不利影響。為了去除這些雜質或聚合物，往往需要在各工藝步驟之間對半導體基材進行清洗。

用來實施清洗作業所使用濕法處理裝置由于設計原因，裝置內的處理液在循環過程中容易產生氣泡，氣泡狀況將直接影響清洗效果，甚至造成制備形成的半導體器件存在缺陷。因此，如何解決濕法處理裝置中處理液產生氣泡的問題，對于半導體器件的產品良率具有重要意義。

發明內容

有鑒于此，本實用新型實施例為解決背景技術中存在的至少一個問題而提供一種濕法處理裝置。

為達到上述目的，本實用新型的技術方案是這樣實現的：

本申請實施例提供了一種濕法處理裝置，所述裝置用于處理半導體基材，所述裝置包括：

容納處理所述半導體基材所需處理液的第一儲液槽；

容納從所述第一儲液槽頂部溢出的處理液的第二儲液槽；

所述第一儲液槽具有導流部，所述導流部配置為：在所述第一儲液槽內的處理液溢出時沿著傾斜方向流入所述第二儲液槽內，所述傾斜方向與所述第一儲液槽的深度方向不平行。

上述方案中，所述第一儲液槽包括底部和環狀側部，所述底部和環狀側部圍成容納所述處理液的容納腔；

所述導流部安裝于所述環狀側部之上。

上述方案中，所述導流部與環狀側部一體成型，所述環狀側部不垂直于所述底部。

上述方案中，所述環狀側部垂直于所述底部。

上述方案中，所述導流部與環狀側部可拆卸連接。

上述方案中，所述導流部的兩端分別與所述第一儲液槽的頂部、底部齊平；或者，

所述導流部的一端與所述第一儲液槽的頂部齊平，另一端與所述第一儲液槽的頂部、底部均存在間隔。

上述方案中，所述第一儲液槽位于所述第二儲液槽內。

上述方案中，所述導流部具有導流面，所述導流面為平面或弧面。

本實用新型實施例所提供的濕法處理裝置，通過設置導流部，使得第一儲液槽內的處理液溢出時沿著傾斜方向流入第二儲液槽內，減輕或避免了處理液從第一儲液槽頂部溢出下落到第二儲液槽的過程中產生的氣泡問題，有效地改善了半導體基材的濕法處理效果，降低了產品缺陷，使得最終產品良率獲得提高。

本實用新型附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

附圖說明

圖1為一相關實施例提供的濕法處理裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型一實施例提供的濕法處理裝置的結構示意圖；

圖3為本實用新型另一實施例提供的濕法處理裝置的結構示意圖。

具體實施方式