[實用新型]濕法處理裝置有效
| 申請號： | 201922088059.1 | 申請日： | 2019-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN211017021U | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 白靖宇 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;B08B3/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 高潔;張穎玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濕法 處理 裝置 | ||
1.一種濕法處理裝置，所述裝置用于處理半導體基材，其特征在于，所述裝置包括：
容納處理所述半導體基材所需處理液的第一儲液槽；
容納從所述第一儲液槽頂部溢出的處理液的第二儲液槽；
所述第一儲液槽具有導流部，所述導流部配置為：在所述第一儲液槽內的處理液溢出時沿著傾斜方向流入所述第二儲液槽內，所述傾斜方向與所述第一儲液槽的深度方向不平行。
2.根據權利要求1所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述第一儲液槽包括底部和環狀側部，所述底部和環狀側部圍成容納所述處理液的容納腔；
所述導流部安裝于所述環狀側部之上。
3.根據權利要求2所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述導流部與環狀側部一體成型，所述環狀側部不垂直于所述底部。
4.根據權利要求2所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述環狀側部垂直于所述底部。
5.根據權利要求4所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述導流部與環狀側部可拆卸連接。
6.根據權利要求1所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述導流部的兩端分別與所述第一儲液槽的頂部、底部齊平；或者，
所述導流部的一端與所述第一儲液槽的頂部齊平，另一端與所述第一儲液槽的頂部、底部均存在間隔。
7.根據權利要求1所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述第一儲液槽位于所述第二儲液槽內。
8.根據權利要求1所述的濕法處理裝置，其特征在于，所述導流部具有導流面，所述導流面為平面或弧面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
