[實(shí)用新型]導(dǎo)電膠膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922059110.6
• 申請(qǐng)日: 2019-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN210575923U
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王佑民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 麒燁科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

本實(shí)用新型提供一種導(dǎo)電膠膜，包含導(dǎo)電基材、接合于導(dǎo)電基材上的第一導(dǎo)電膠層、接合于第一導(dǎo)電膠層上的多孔薄膜以及接合于多孔薄膜上的第二導(dǎo)電膠層。多孔薄膜是由多根纖維所構(gòu)成且具有多個(gè)通孔。第二導(dǎo)電膠層通過(guò)多孔薄膜的多個(gè)通孔與第一導(dǎo)電膠層接合。第一導(dǎo)電膠層的第一粘著力大于第二導(dǎo)電膠層的第二粘著力。第二導(dǎo)電膠層的第二粘著力等于或小于400gf。多孔薄膜的厚度等于或小于50μm。本實(shí)用新型的導(dǎo)電膠膜能供小尺寸垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶進(jìn)行電氣特性測(cè)試。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)電膠膜，尤其涉及一種能供小尺寸垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶(或稱為半導(dǎo)體晶粒)進(jìn)行電氣特性測(cè)試的導(dǎo)電膠膜。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體元件(涵蓋光電元件)在晶圓上制造完成后晶切割即獲得半導(dǎo)體裸晶(或稱為半導(dǎo)體晶粒)。半導(dǎo)體裸晶須通過(guò)針測(cè)儀器以檢測(cè)其電氣特性，檢測(cè)其是否為不良品。檢測(cè)為不合格的半導(dǎo)體裸晶將標(biāo)上記號(hào)。檢測(cè)為合格的半導(dǎo)體裸晶依其電氣特性進(jìn)行分類，再進(jìn)行下一個(gè)封裝制程。

具有上電極與下電極的半導(dǎo)體裸晶稱為垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶。不少半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)即為垂直型態(tài)。現(xiàn)行垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶需通過(guò)導(dǎo)電膠膜進(jìn)行電氣特性測(cè)試，以縮短測(cè)試時(shí)間，提升整體制成效率。

請(qǐng)參閱圖1，圖1是先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1的局部剖面視圖。

如圖1所示，先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1包含導(dǎo)電布10、導(dǎo)電網(wǎng)格12以及導(dǎo)電膠層14。導(dǎo)電網(wǎng)格12是將導(dǎo)電漿(例如，銀漿)以網(wǎng)版印刷方式形成于導(dǎo)電布10上。導(dǎo)電膠層14接合于導(dǎo)電網(wǎng)格12，并且通過(guò)導(dǎo)電網(wǎng)格12的多個(gè)網(wǎng)目122與導(dǎo)電布10接合。

先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1能與測(cè)試系統(tǒng)(未示出于圖1中)配合，用以測(cè)試垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶(未示出于圖1中)。先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1放置于測(cè)試系統(tǒng)的平臺(tái)上。垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的下電極粘著于導(dǎo)電膠層14上。測(cè)試系統(tǒng)的第一探針抵接垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的上電極。測(cè)試系統(tǒng)的第二探針經(jīng)由先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1與垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的下電極成電氣連接。測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)而對(duì)垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶施加測(cè)試電流以進(jìn)行電氣特性測(cè)試。

然而，受限于網(wǎng)版印刷的解析度，導(dǎo)電網(wǎng)格12的網(wǎng)目122尺寸也受限，其網(wǎng)目122尺寸最小為0.1mm×0.2mm。但是，隨著有些類型的垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶朝向小尺寸甚至極小尺寸發(fā)展，例如，mini-LED與micro-LED等。mini-LED的尺寸為100～200μm(長(zhǎng)邊或?qū)掃?，micro-LED的尺寸為100μm以下(長(zhǎng)邊或?qū)掃?。上述小尺寸與極小尺寸的垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶粘著于先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1上，測(cè)試系統(tǒng)的第一探針抵接垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的上電極上，垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶很可能發(fā)生歪斜，導(dǎo)致電氣特性測(cè)試無(wú)法進(jìn)行。

此外，運(yùn)用銀漿來(lái)制造先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1，會(huì)導(dǎo)致先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1的制造成本過(guò)高。

此外，先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1的導(dǎo)電膠層14因需配合以銀漿形成的導(dǎo)電網(wǎng)格12，導(dǎo)致運(yùn)用先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1進(jìn)行垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的電氣特性測(cè)試且施加大電流測(cè)試后，測(cè)試過(guò)程中垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的溫度升高，受測(cè)的垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的下電極表面常常會(huì)有殘膠的情形發(fā)生。

此外，運(yùn)用先前技術(shù)的導(dǎo)電膠膜1進(jìn)行垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的電氣特性測(cè)試，其測(cè)試精準(zhǔn)度仍有提升的空間。

實(shí)用新型內(nèi)容

因此，本實(shí)用新型所欲解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種能供小尺寸垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶進(jìn)行電氣特性測(cè)試的導(dǎo)電膠膜。并且，運(yùn)用根據(jù)本實(shí)用新型的導(dǎo)電膠膜進(jìn)行垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的電氣特性測(cè)試，尤其是針對(duì)極小尺寸垂直型態(tài)半導(dǎo)體裸晶的電氣特性測(cè)試，其測(cè)試精準(zhǔn)度明顯提升。