[實用新型]一種多芯片結構有效
| 申請號: | 201922028197.0 | 申請日: | 2019-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN211125642U | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 劉新華;楊明;雷瀟鵬 | 申請(專利權)人: | 深圳市中躍半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/538 | 分類號: | H01L23/538;H01L25/07 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518108 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 結構 | ||
1.一種多芯片結構,包括封裝體,其特征在于,所述封裝體內部底端平鋪安裝有基板,且封裝結構中基板選用銅合金或鋁合金材料,其上表面裝設有印制電路板,用于實現多個芯片的串聯,所述基板表面的左側處成型有第一安裝槽,且第一安裝槽內部平鋪安裝有第一芯片,并且第一芯片與基板之間進行電性連接,所述基板表面的右側處成型有第二安裝槽,且第二安裝槽內部平鋪安裝有第二芯片,并且第二芯片與基板之間進行電性連接。
2.根據權利要求1所述的一種多芯片結構,其特征在于,所述第一安裝槽內部底面左右兩側分別成型有第一連接基點;所述第一芯片底面左右兩側分別電性連接有第二引腳,且第二引腳與第一連接基點之間進行焊接連接,從而使第一芯片與基板之間進行電性連接。
3.根據權利要求1所述的一種多芯片結構,其特征在于,所述第二安裝槽內部底面左右兩側分別成型有第二連接基點;所述第二芯片底面左右兩側分別電性連接有第三引腳,且第三引腳與第二連接基點之間進行焊接連接,從而使第二芯片與基板之間進行電性連接。
4.根據權利要求1所述的一種多芯片結構,其特征在于,所述第一芯片的左側處電性連接有導線,且第一芯片通過導線與第二芯片進行電性連接。
5.根據權利要求1所述的一種多芯片結構,其特征在于,所述封裝體底面的左右兩側分別安裝有第一引腳,且第一引腳的頂端密封貫穿封裝體的底面并與基板的底面進行電性連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市中躍半導體科技有限公司,未經深圳市中躍半導體科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922028197.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:高溫繞包電磁線速冷速干裝置
- 下一篇:一種帶有摩擦力增大結構的特氟龍傳送帶





