[實用新型]一種卸載裝置及化學機械拋光輔助設備

有效

• 申請號: 201922010912.8
• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN210968392U
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 孫強;沈思情;張俊寶;陳猛
• 申請（專利權）人: 上海超硅半導體有限公司;重慶超硅半導體有限公司
• 主分類號: B24B37/34
• 分類號: B24B37/34;B24B37/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型涉及拋光輔助設備技術領域，尤其涉及一種卸載裝置及化學機械拋光輔助設備。本實用新型提供的卸載裝置，包括拋盤、噴淋機構、回收機構、傳送機構和卸載機構，噴淋機構包括噴淋槽和多組噴頭，回收機構包括回收片盒，傳送機構包括傳送帶，卸載機構包括卸載臺和高壓水噴頭。該卸載裝置，通過將拋盤放置在噴淋槽內的傳送帶上，在傳送帶能夠將拋盤傳送至卸載口的過程中，噴頭向拋盤上噴射保護液，當傳送帶將拋盤傳送至卸載口處時，卸載臺向上運動以將拋盤頂升起來并與傳送帶分離，并使拋盤與回收片盒的開口相對，高壓水噴頭將拋盤上的產品噴射入回收片盒內，實現了使拋盤上的產品在卸載過程一直處于濕潤狀態，便于產品后續的清洗操作。

技術領域

本實用新型涉及拋光輔助設備技術領域，尤其涉及一種卸載裝置及化學機械拋光輔助設備。

背景技術

化學機械拋光工藝(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是用化學腐蝕和機械力對加工過程中的晶圓片或其它襯底材料進行平滑處理。其包括化學過程和物理過程，其中，化學過程是研磨液中的化學品和晶圓片表面發生化學反應，生成比較容易去除的物質；物理過程是研磨液中的磨粒和晶圓片表面材料發生機械物理摩擦，去除化學反應生成的物質。

經CMP工藝處理后必然會造成晶圓片的表面缺陷，一般包括擦傷、殘留物和表面污染，所以，在CMP工藝后必須對晶圓片進行有效的清洗來實現CMP的工藝優點，而清洗工藝能夠有效清洗晶圓片表面缺陷的前提是CMP工藝處理后的晶圓片表面必需始終保持濕潤不干狀態，否則會清洗不干凈，導致產品不合格。現有的卸載裝置不能夠保證卸載晶圓片的同時，保證晶圓片處于濕潤狀態下。

因此，亟需一種在晶圓片拋光后能夠保證晶圓片處于濕潤狀態下的卸載裝置。

實用新型內容

本實用新型的一個目的在于提供一種卸載裝置，以解決現有技術中存在的問題，能夠保證拋光后的產品的處于濕潤狀態。

本實用新型的另一個目的在于提供一種化學機械拋光輔助設備，通過應用上述卸載裝置，能夠保證拋光后的產品的處于濕潤狀態，便于對產品進行清洗，提高產品質量。

為實現上述目的，提供以下技術方案：

一種卸載裝置，包括拋盤，所述拋盤被配置為用于放置產品，所述卸載裝置還包括：

噴淋機構，包括噴淋槽和多組噴頭，所述噴淋槽上開設有卸載口，多組所述噴頭沿水平方向排列懸置在所述噴淋槽的上方且能夠向所述噴淋槽內噴射保護液；

回收機構，包括回收片盒，所述回收片盒的開口與所述卸載口相對設置；

傳送機構，包括傳送帶，所述傳送帶部分設置在所述噴淋槽內，所述拋盤設置在所述傳送帶上，所述傳送帶能夠將所述拋盤傳送至所述卸載口；

卸載機構，包括卸載臺和高壓水噴頭，所述卸載臺能夠將所述傳送帶上的所述拋盤推頂升起并與所述傳送帶分離，所述高壓水噴頭能夠將所述拋盤上的產品沖射入所述回收片盒內。

進一步地，每組所述噴頭包括至少兩個噴嘴，所述噴嘴的噴射角度為α，所述拋盤的直徑為D，所述噴頭至所述拋盤的距離L₁≥0.5D*cot(0.5α)，相鄰兩個所述噴嘴之間的距離L₂≤0.25D。

進一步地，所述噴淋機構還包括噴淋管路，所述噴淋管路設置在所述噴淋槽的上方，多組所述噴頭均與所述噴淋管路相連通。

進一步地，所述卸載裝置還包括隔擋機構，所述隔擋機構包括隔板，所述噴淋槽的底部上設置有避讓槽，所述隔板穿設在所述避讓槽內，所述隔板能夠沿豎直方向移動，以阻擋所述拋盤隨所述傳送帶移動或允許所述拋盤隨所述傳送帶移動。

進一步地，所述隔板的數量為多個，相鄰兩個所述隔板之間的距離L₃的范圍為D＜L₃＜2D。