[實用新型]用于低應力MEMS封裝的粘接結構和封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922009546.4
• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN211255241U
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 劉禹;唐彬;商二威;楊杰;陳彥秋
• 申請（專利權）人: 江南大學
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

本實用新型涉及低應力MEMS封裝技術領域，尤其涉及一種用于低應力MEMS封裝的粘接結構和封裝結構。本實用新型涉及低應力MEMS封裝技術領域，尤其涉及一種針對慣性傳感器的低應力MEMS封裝的三維封裝粘接結構和封裝結構。所述用于低應力MEMS封裝結構包括MEMS芯片和MEMS基座，所述MEMS芯片通過如本實用新型第一方面所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構粘貼在所述MEMS基座上。所述用于低應力MEMS封裝的粘接結構和封裝結構具有較好的應力隔離效果。

技術領域

本實用新型涉及低應力MEMS封裝技術領域，尤其涉及一種針對慣性傳感器的低應力MEMS封裝的三維粘接結構和封裝結構，以及用于實現(xiàn)低應力MEMS封裝的粘接結構的集成制造方法。

背景技術

MEMS慣性傳感器件對封裝工藝過程中硅芯片中產(chǎn)生的應力很敏感，這與存在應力時的芯片翹曲有關。在芯片貼片封裝工藝中，一般有焊接和有機膠粘接兩種方式。低溫低應力封裝是MEMS慣性傳感器件的通常要求，而工藝溫度最低的方法為有機膠粘接的方法。常用的粘接劑有環(huán)氧膠，硅膠等。傳統(tǒng)的膠粘貼片方式為整層膠粘或局部點膠粘接，環(huán)境溫度變化時，由于材料熱失配往往導致殘余應力的產(chǎn)生，殘余應力隨環(huán)境溫度的變化將通過MEMS器件的敏感單元以電信號的形式反映到輸出信號上，從而使傳感器的輸出發(fā)生偏移。傳統(tǒng)的膠粘貼片方式存在一定的局限性，即良好的應力隔離效果和較好的芯片-基座粘接力不能同時得到。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術中存在的不足，本實用新型提供用于低應力MEMS封裝的粘接結構和封裝結構，具有較好的應力隔離效果和較好的芯片-基座粘接力。

根據(jù)本實用新型提供的技術方案，作為本實用新型的第一方面，提供一種用于低應力MEMS封裝的粘接結構，所述用于低應力MEMS封裝的粘接結構包括：從下至上依次交替疊置的應力隔離A層和應力隔離B層；所述應力隔離A層和應力隔離B層均分別包括至少一層的應力隔離層；所述應力隔離層包括若干根呈陣列式排布的應力隔離條。

進一步地，所述應力隔離A層包括第一應力隔離層，所述應力隔離B層包括第二應力隔離層；

所述第一應力隔離層和第二應力隔離層中的應力隔離條分別并列排成一排，且所述第一應力隔離層中的應力隔離條與第二應力隔離層中的應力隔離條之間相互交叉。

進一步地，所述應力隔離A層包括第一應力隔離層，所述應力隔離B層（200）包括第二應力隔離層；

所述第一應力隔離層和第二應力隔離層中的應力隔離條分別并列排成一排，且所述第一應力隔離層中的應力隔離條與第二應力隔離層中的應力隔離條之間相互垂直。

進一步地，所述應力隔離A層包括應力隔離條排布一致的第一應力隔離層和第二應力隔離層，所述應力隔離B層包括應力隔離條排布一致的第三應力隔離層和第四應力隔離層；

第一應力隔離層和第二應力隔離層中的應力隔離條排布一致；第三應力隔離層和第四應力隔離層中的中的應力隔離條排布一致

且第一應力隔離層和第二應力隔離層中的應力隔離條交叉于第三應力隔離層和第四應力隔離層中的應力隔離條。

進一步地，所述應力隔離條的寬度為50~~100μm，應力隔離條的間距為100~~500μm。

進一步地，所述應力隔離條采用的材料為：陶瓷、熱固型橡膠、熱塑型橡膠、熱固型樹脂和熱塑型樹脂中的任意一種或多種。

進一步地，所述應力隔離條的熱膨脹系數(shù)為1×10^-6~~1×10^-3[1/K]。

作為本實用新型的第二方面，提供一種用于低應力MEMS封裝結構，所述用于低應力MEMS封裝結構包括MEMS芯片和MEMS基座，所述MEMS芯片通過如本實用新型第一方面所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構粘貼在所述MEMS基座上。