[實用新型]用于低應力MEMS封裝的粘接結構和封裝結構有效
| 申請號： | 201922009546.4 | 申請日： | 2019-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN211255241U | 公開（公告）日： | 2020-08-14 |
| 發明（設計）人： | 劉禹;唐彬;商二威;楊杰;陳彥秋 | 申請（專利權）人： | 江南大學 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214122 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 應力 mems 封裝 結構 | ||
1.一種用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述用于低應力MEMS封裝的粘接結構包括：從下至上依次交替疊置的應力隔離A層（100）和應力隔離B層（200）；所述應力隔離A層（100）和應力隔離B層（200）均分別包括至少一層的應力隔離層；所述應力隔離層包括若干根呈陣列式排布的應力隔離條（300）。
2.如權利要求1所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述應力隔離A層（100）包括第一應力隔離層（410），所述應力隔離B層（200）包括第二應力隔離層（420）；
所述第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420）中的應力隔離條（300）分別并列排成一排，且所述第一應力隔離層（410）中的應力隔離條（300）與第二應力隔離層（420）中的應力隔離條（300）之間相互交叉。
3.如權利要求1所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述應力隔離A層（100）包括應力隔離條（300）排布一致的第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420），所述應力隔離B層（200）包括應力隔離條（300）排布一致的第三應力隔離層（430）和第四應力隔離層（440）；
第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420）中的應力隔離條（300）排布一致；第三應力隔離層（430）和第四應力隔離層（440）中的中的應力隔離條（300）排布一致
且第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420）中的應力隔離條（300）交叉于第三應力隔離層（430）和第四應力隔離層（440）中的應力隔離條（300）。
4.如權利要求1所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述應力隔離條（300）的寬度為50~~150μm，應力隔離條（300）的間距為100~~500μm。
5.如權利要求1所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述應力隔離條（300）采用的材料為：陶瓷、熱固型橡膠、熱塑型橡膠、熱固型樹脂和熱塑型樹脂中的任意一種或多種。
6.如權利要求1所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述應力隔離條（300）的熱膨脹系數為1×10-6~~1×10-3[1/K]。
7.一種用于低應力MEMS封裝結構，其特征在于，所述用于低應力MEMS封裝結構包括MEMS芯片（500）和MEMS基座（600），所述MEMS芯片（500）通過如權利要求1~4中任意一項所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構粘貼在所述MEMS基座（600）上。
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