[實用新型]碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構

有效

• 申請號: 201921994244.0
• 申請日: 2019-11-18
• 公開（公告）號: CN210429767U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 李晶;盧紅亮;李勇剛;蔣鐨鎧
• 申請（專利權）人: 四川矽芯微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 成都玖和知識產權代理事務所(普通合伙) 51238
• 代理人: 胡琳梅

本申請公開了一種碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，第一套筒安裝在安裝蓋的下端，第二套筒安裝在第一套筒的下端，第一套筒下端且位于第二套筒的外周安裝有多個第一加熱桿，第三套筒內設有用于安裝第二套筒的第一限位腔，第二套筒內設有多個第二加熱桿，第一套筒外壁與第三套筒內壁形成第二限位腔，安裝蓋上設有與第三限位腔連通的第三排氣管，第一電阻絲安裝在第一導熱套內，第二電阻絲安裝在第二導熱套內，第一電阻絲的電阻大于第二電阻絲的電阻。本實用新型能夠實現分區加熱處理，可以實現對不同顆粒大小的碳化硅半導體進行分區氧化，實現不同溫度的氧化導熱處理，有效提高熱效率，提高了氧化的效率和質量。

技術領域

本實用新型涉及碳化硅半導體加工設備的技術領域，尤其涉及一種碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構。

背景技術

碳化硅是一種重要的寬帶隙半導體材料，在高溫、高頻和大功率器件等領域有著巨大的應用潛力。和傳統的硅材料相比，SiC擁有明顯的優勢，比如，其禁帶寬度是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2.5倍，擊穿電場是Si的10倍。除了以上優點外，SiC還是眾多化合物半導體中唯一一種可以自身形成氧化物的化合物半導體，而SiO2本身又是半導體器件制備工藝中最常用的絕緣介質材料，因而SiC材料可以與傳統的Si器件制備工藝相兼容。

現有技術中碳化硅半導體氧化裝置大多對碳化硅半導體進行同一溫度進行氧化處理，現有的導熱結構也是保證氧化腔內具有一致的溫度，然而現有技術中的碳化硅半導體的顆粒大小不一，這就導致了氧化效率和質量無法滿足加工時的需求，故此亟需開發一種碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構來解決現有技術中的問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于克服現有技術的不足而提供一種能夠提高碳化硅半導體氧化效率的導熱結構。

解決上述技術問題，本實用新型采取如下技術方案：

一種碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，包括安裝蓋、第一套筒、第二套筒和第三套筒，第一套筒安裝在安裝蓋的下端，第二套筒安裝在第一套筒的下端，第一套筒的下端且位于第二套筒的外周安裝有多個第一加熱桿，第三套筒內設有用于安裝第二套筒的第一限位腔，第二套筒內設有多個第二加熱桿，第一套筒外壁與第三套筒內壁形成第二限位腔，安裝蓋上設有與第三限位腔連通的第三排氣管，第一加熱桿包括第一導熱套、第一電阻絲和第二絕熱套，第一電阻絲安裝在第一導熱套內，第一導熱套通過第二絕熱套安裝在安裝蓋上，第二加熱桿包括第二導熱套、第二電阻絲和第二絕熱套，第二電阻絲安裝在第二導熱套內，第二導熱套通過第二絕熱套安裝在安裝蓋上，第一電阻絲的電阻大于第二電阻絲的電阻。

本實用新型實施例第一套筒的外壁設有多個第一凸起。

本實用新型實施例第二套筒內壁設有多個第二凸起。

本實用新型實施例第一套筒的外徑為m1，第三套筒的內徑為m4， m4≤m1。

本實用新型實施例第二套筒內部設有第四套筒，第四套筒的外壁與第二套筒的內壁形成第三限位腔，安裝蓋上設有與第三限位腔連通的第二排氣管。

本實用新型實施例第三限位腔的內徑為m2，第三套筒內設有第五套筒，第五套筒的壁厚為m3，m3≤m2。

本實用新型實施例第五套筒內壁設有多個第三凸起。

本實用新型實施例第四套筒內設有第四限位腔，第二加熱桿安裝在第四限位腔內，安裝蓋上設有與第四限位腔連通的第一排氣管。

本實用新型的有益效果為：