[實用新型]碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構

有效

• 申請號: 201921994244.0
• 申請日: 2019-11-18
• 公開（公告）號: CN210429767U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 李晶;盧紅亮;李勇剛;蔣鐨鎧
• 申請（專利權）人: 四川矽芯微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 成都玖和知識產權代理事務所(普通合伙) 51238
• 代理人: 胡琳梅

1.一種碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，包括安裝蓋(1)、第一套筒(2)、第二套筒(5)和第三套筒(6)，第一套筒(2)安裝在安裝蓋(1)的下端，第二套筒(5)安裝在第一套筒(2)的下端，第一套筒(2)的下端且位于第二套筒(5)的外周安裝有多個第一加熱桿(4)，第三套筒(6)內設有用于安裝第二套筒(5)的第一限位腔(7)，第二套筒(5)內設有多個第二加熱桿(9)，第一套筒(2)外壁與第三套筒(6)內壁形成第二限位腔(13)，安裝蓋(1)上設有與第二限位腔(13)連通的第三排氣管(20)，第一加熱桿(4)包括第一導熱套(401)、第一電阻絲(402)和第二絕熱套(403)，第一電阻絲(402)安裝在第一導熱套(401)內，第一導熱套(401)通過第二絕熱套(403)安裝在安裝蓋(1)上，第二加熱桿(9)包括第二導熱套(901)、第二電阻絲(902)和第一絕熱套(903)，第二電阻絲(902)安裝在第二導熱套(901)內，第二導熱套(901)通過第一絕熱套(903)安裝在安裝蓋(1)上，第一電阻絲(402)的電阻大于第二電阻絲(902)的電阻。

2.如權利要求1所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第一套筒(2)的外壁設有多個第一凸起(3)。

3.如權利要求1所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第二套筒(5)內壁設有多個第二凸起(14)。

4.如權利要求1所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第一套筒(2)的外徑為m1，第三套筒(6)的內徑為m4，m4≤m1。

5.如權利要求1所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第二套筒(5)內部設有第四套筒(11)，第四套筒(11)的外壁與第二套筒(5)的內壁形成第三限位腔(15)，安裝蓋(1)上設有與第三限位腔(15)連通的第二排氣管(19)。

6.如權利要求5所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第三限位腔(15)的內徑為m2，第三套筒(6)內設有第五套筒(16)，第五套筒(16)的壁厚為m3，m3≤m2。

7.如權利要求6所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第五套筒(16)內壁設有多個第三凸起(18)。

8.如權利要求5所述的碳化硅半導體高溫氧化裝置的導熱結構，其特征在于，第四套筒(11)內設有第四限位腔(12)，第二加熱桿(9)安裝在第四限位腔(12)內，安裝蓋(1)上設有與第四限位腔(12)連通的第一排氣管(10)。