[實用新型]一種隔離型HVNMOS結構

有效

• 申請號: 201921978180.5
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN210607271U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 呂強;孫忠民;郭靖;高連山;趙紅武
• 申請（專利權）人: 西安硅宇微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種隔離型HVNMOS結構，其特征在于，包括P型襯底和設置在所述P型襯底上的兩個高壓P阱(HVPW)與一個高壓N阱(HVNW)，其中：

所述高壓N阱(HVNW)設置在兩個高壓P阱(HVPW)之間；

所述高壓P阱(HVPW)的頂部設置有P+注入區(PPLUS)，P+注入區(PPLUS)上設置有Psub端口；

所述高壓N阱(HVNW)上方設置有兩個N型高壓雙擴散區(NHDD)和一個P阱(PW)，所述P阱(PW)設置在兩個N型高壓雙擴散區(NHDD)之間；

所述高壓雙擴散區(NHDD)的頂部設置有N+注入區(NPLUS)，N+注入區(NPLUS)上設置有Drain端口；

所述P阱(PW)區內設置有兩個高壓VT調節注入區(HNVT)、兩個N+注入區(NPLUS)、一個P+注入區(PPLUS)和兩個N型高壓雙擴散區(NHDD)，其中：第一高壓VT調節注入區(HNVT)、第一N+注入區(NPLUS)、P+注入區(PPLUS)、第二高壓VT調節注入區(HNVT)和第二N+注入區(NPLUS)依次設置在P阱(PW)區的頂部，N型高壓雙擴散區(NHDD)設置在高壓VT調節注入區(HNVT)和N+注入區(NPLUS)的底部；

所述高壓VT調節注入區(HNVT)的頂部設置有多晶硅體(POLY1)，多晶硅體(POLY1)上設置有Gate端口；

所述P+注入區(PPLUS)上設置有Bulk端口。