[實用新型]襯底支撐組件

有效

• 申請號: 201921932647.2
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN211578693U
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: M·R·賴斯;V·D·帕科
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;張鑫

本文公開了一種襯底支撐組件，所述襯底支撐組件具有沿著所述襯底支撐組件的側表面設置在所述襯底支撐組件中的接地電極網。所述襯底支撐組件具有主體。所述主體具有外頂表面、外側表面和外底表面，所述外頂表面、所述外側表面和所述外底表面包圍所述主體的內部。所述主體具有接地電極網，所述接地電極網設置在所述主體的所述內部中并鄰近所述外側表面，其中所述接地電極不延伸通過到所述外側頂表面或所述外側表面。

技術領域

本公開的實施例整體涉及等離子體處理腔室。更具體地，本公開的實施例涉及一種用于設置在等離子體處理腔室中的襯底支撐組件的接地電極。

背景技術

等離子體處理系統用于在襯底(諸如半導體晶片或透明襯底)上形成器件。通常，襯底被保持到支撐件以進行處理。可以通過真空、重力、靜電力或通過其他合適的技術來將襯底保持到支撐件。在處理期間，通過將功率(諸如射頻(RF)功率)從耦接到電極的一個或多個電源施加到在腔室中的電極來將腔室中的前驅物氣體或氣體混合物激勵(例如，激發)成等離子體。激發的氣體或氣體混合物反應以在襯底的表面上形成材料層。該層可以是例如鈍化層、柵極絕緣體、緩沖層和/或蝕刻停止層。

在等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝期間，在襯底支撐件與氣體分配板之間形成電容耦合等離子體，也被稱為源等離子體。等離子體的 RF返回路徑穿過襯底支撐件和腔室襯里。由于不良或破損的接地的RF返回路徑的不對稱性可能導致處理結果(例如，蝕刻、沉積等)的不均勻性或偏斜。處理腔室典型地包括：襯底支撐件或底座，所述襯底支撐件或底座設置在處理腔室中以在處理期間支撐襯底；以及噴頭，所述噴頭具有用于將工藝氣體引入處理腔室中的面板。等離子體由兩個RF電極產生，其中噴頭用作頂部電極(即陰極)，而襯底支撐件用作底部電極(即陽極)。在一些工藝中，底座可以包括嵌入的金屬網以用作底部電極。工藝氣體流經噴頭，并且等離子體在兩個電極之間產生。在常規系統中，RF電流通過等離子體從噴頭頂部電極流動到加熱器底部電極。RF電流將通過底座中的鎳 RF棒，并且然后通過底座結構在內腔室壁中返回。RF返回路徑提供工藝穩定性并防止在腔室中電弧放電，從而延長腔室部件的使用壽命。然而，襯底支撐件的豎直壁在很大程度上沒有正確的接地，正確的接地可以促進在襯底支撐件的支撐表面下方形成寄生等離子體。

因此，需要的是在等離子體處理腔室中的改善的RF返回路徑。

實用新型內容

本文公開了一種襯底支撐組件，所述襯底支撐組件具有沿著所述襯底支撐組件的側表面設置在所述襯底支撐組件中的接地電極網，并且公開了一種用于形成接地電極網的方法。所述襯底支撐組件具有主體。所述主體具有外頂表面、外側表面和外底表面，以包圍所述主體的內部。所述主體具有接地電極網，所述接地電極網設置在所述主體的所述內部中并鄰近所述外側表面，其中所述接地電極不延伸通過到所述外側頂表面或所述外側表面。

本文公開了一種用于形成靜電吸盤(ESC)的方法。所述方法開始于燒結具有加熱器、RF電極網和高電壓(HV)ESC電極網的氮化鋁(AlN)或氧化鋁主體。沿著所燒結的AlN主體的一個或多個外表面設置接地電極網。將所述接地電極網和所燒結的主體包圍在鋁粉中以形成ESC主體。燒結所述 ESC主體以形成所述ESC。

本文公開了另一種用于形成ESC的方法。所述方法開始于在第一AlN 片材的頂表面上印刷RF電極。在所述第一AlN片材中形成多個第一通孔。在第二AlN片材的頂表面上印刷加熱器。在所述第二AlN片材中形成多個第二通孔。所述第二通孔與所述第一通孔豎直地對準。在第三AIN片材的頂表面上印刷HV ESC電極。在所述第三AlN片材中形成多個第三通孔。所述第三通孔與所述第一通孔豎直地對準。在第四AlN片材的頂表面上印刷接地網。在所述第四AlN片材中形成多個第四通孔。所述第四通孔與所述第一通孔豎直地對準。在所述第一片材的所述頂表面上放置第五AlN片材以用于得到ESC主體。

附圖說明