[實用新型]存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921920408.5
• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN210607188U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設計）人: 張強;應戰(zhàn)
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/8239;H01L27/105
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

一種存儲器，所述存儲器包括：襯底，所述襯底包括陣列區(qū)域和包圍所述陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；位于所述襯底的陣列區(qū)域內(nèi)的若干陣列排布的分立有源區(qū)，位于所述陣列區(qū)域邊緣的所述分立有源區(qū)一端連接至所述襯底的外圍區(qū)域；各分立有源區(qū)之間通過淺溝槽隔離結構隔離。上述存儲器可靠性提高。

技術領域

本實用新型涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種存儲器。

背景技術

存儲器包括多個陣列排列的存儲單元，每個存儲單元均形成于一有源區(qū)(AA)上。現(xiàn)有技術的存儲器的形成過程中，通常需要對襯底進行刻蝕，以形成陣列排列的有源區(qū)。

隨著存儲器存儲容量增大，存儲密度增大，有源區(qū)的線寬逐漸縮小。在襯底表面形成多個陣列排列的掩膜圖形作為有源區(qū)的掩膜時，需要采用雙重圖形化工藝(SADP)以形成具有更小線寬圖形的AA掩膜，用于形成長條狀的AA；然后再在所述AA掩膜上形成STI掩膜用于將長條狀的AA切斷，由于形成陣列排布的有源區(qū)。

在采用SADP工藝形成存儲器陣列區(qū)域的有源區(qū)時，由于AA掩膜的尺寸很小，形成的有源區(qū)尺寸很小，在有源區(qū)陣列的邊緣會存在容易產(chǎn)生倒塌、受到應力等問題，影響產(chǎn)品的良率。

如何改善存儲器有源區(qū)陣列的邊緣問題，是目前亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種存儲器，能夠改善存儲器有源區(qū)陣列的邊緣問題。

為了解決上述問題，本實用新型的技術方案還提供一種存儲器，包括：襯底，所述襯底包括陣列區(qū)域和包圍所述陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；位于所述襯底的陣列區(qū)域內(nèi)的若干陣列排布的分立有源區(qū)，位于所述陣列區(qū)域邊緣的所述分立有源區(qū)一端連接至所述襯底的外圍區(qū)域；各分立有源區(qū)之間通過淺溝槽隔離結構隔離。

可選的，所述襯底的外圍區(qū)域內(nèi)形成有外圍淺溝槽隔離結構。

可選的，所述外圍淺溝槽隔離結構圍繞所述陣列區(qū)域設置。

可選的，所述外圍淺溝槽隔離結構與所述陣列區(qū)域之間具有一定間距。

可選的，所述外圍淺溝槽隔離結構朝向所述陣列區(qū)域一側的側壁為曲面。

可選的，所述淺溝槽隔離結構包括第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構；所述第一淺溝槽隔離結構為長條狀，將陣列區(qū)域分割為多條平行排列的長條狀的連續(xù)有源區(qū)，所述第二淺溝槽隔離結構為塊狀，將所述長條狀的連續(xù)有源區(qū)分割為若干分立有源區(qū)。

可選的，所述第一淺溝槽隔離結構的位于所述陣列區(qū)域同一側的端面齊平。

可選的，各個第一淺溝槽隔離結構的端部與所述外圍淺溝槽隔離結構之間的距離相等。

可選的，各分立有源區(qū)分別沿多根平行的直線排列。

本實用新型的存儲器的邊緣的分立有源區(qū)端部與外圍區(qū)域連接，可以避免陣列區(qū)域邊緣的分立有源區(qū)發(fā)生倒塌等問題，并且可以釋放外圍結構對位于邊緣的分立有源區(qū)的應力作用，提高存儲器的可靠性。

附圖說明

圖1至圖7為本實用新型具體實施方式的存儲器的形成過程的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型提供的存儲器及其形成方法的具體實施方式做詳細說明。

請參考圖1，為本實用新型一具體實施方式的存儲器的形成過程的結構示意圖。

請參考圖1，提供襯底100，所述襯底100包括陣列區(qū)域101和包圍所述陣列區(qū)域101的外圍區(qū)域102。

所述陣列區(qū)域101內(nèi)用于形成存儲器的有源區(qū)陣列，而外圍區(qū)域102內(nèi)則用于形成存儲器的外圍器件，例如邏輯控制電路等。