[實用新型]存儲器有效
| 申請號： | 201921920408.5 | 申請日： | 2019-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN210607188U | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 張強;應戰 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/308 | 分類號： | H01L21/308;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 | ||
1.一種存儲器，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括陣列區域和包圍所述陣列區域的外圍區域；
位于所述襯底的陣列區域內的若干陣列排布的分立有源區，位于所述陣列區域邊緣的所述分立有源區一端連接至所述襯底的外圍區域；
各分立有源區之間通過淺溝槽隔離結構隔離。
2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述襯底的外圍區域內形成有外圍淺溝槽隔離結構。
3.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述外圍淺溝槽隔離結構圍繞所述陣列區域設置。
4.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述外圍淺溝槽隔離結構與所述陣列區域之間具有一定間距。
5.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述外圍淺溝槽隔離結構朝向所述陣列區域一側的側壁為曲面。
6.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構包括第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構；所述第一淺溝槽隔離結構為長條狀，將陣列區域分割為多條平行排列的長條狀的連續有源區，所述第二淺溝槽隔離結構為塊狀，將所述長條狀的連續有源區分割為若干分立有源區。
7.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述第一淺溝槽隔離結構的位于所述陣列區域同一側的端面齊平。
8.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，各個第一淺溝槽隔離結構的端部與所述外圍淺溝槽隔離結構之間的距離相等。
9.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，各分立有源區分別沿多根平行的直線排列。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
