[實用新型]存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921919956.6
• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN210607187U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張強(qiáng);應(yīng)戰(zhàn)
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/762;H01L21/8239;H01L27/105
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

一種存儲器，所述存儲器包括：襯底，所述襯底包括陣列區(qū)域；所述陣列區(qū)域內(nèi)形成有若干分立且陣列排布的分立有源區(qū)；所述各個分立有源區(qū)通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離，其中至少部分最外圍淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在所述分立有源區(qū)長度方向上的尺寸大于其他位置的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在所述分立有源區(qū)長度方向上的尺寸。上述存儲器可靠性提高。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器。

背景技術(shù)

存儲器包括多個陣列排列的存儲單元，每個存儲單元均形成于一有源區(qū)(AA)上?，F(xiàn)有技術(shù)的存儲器的形成過程中，通常需要對襯底進(jìn)行刻蝕，以形成陣列排列的有源區(qū)。

隨著存儲器存儲容量增大，存儲密度增大，有源區(qū)的線寬逐漸縮小。在襯底表面形成多個陣列排列的掩膜圖形作為有源區(qū)的掩膜時，需要采用雙重圖形化工藝(SADP)以形成具有更小線寬圖形的AA掩膜，用于形成長條狀的AA；然后再在所述AA掩膜上形成STI掩膜用于將長條狀的AA切斷，由于形成陣列排布的有源區(qū)。

在采用SADP工藝形成存儲器陣列區(qū)域的有源區(qū)時，由于AA掩膜的尺寸很小，形成的有源區(qū)尺寸很小，在有源區(qū)陣列的邊緣會存在容易產(chǎn)生倒塌、受到應(yīng)力等問題，影響產(chǎn)品的良率。

如何改善存儲器有源區(qū)陣列的邊緣問題，是目前亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種存儲器，能夠改善存儲器有源區(qū)陣列的邊緣問題。

為了解決上述問題，本實用新型的技術(shù)方案提供一種存儲器，包括：襯底，所述襯底包括陣列區(qū)域；所述陣列區(qū)域內(nèi)形成有若干分立且陣列排布的分立有源區(qū)；各分立有源區(qū)之間通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離，其中至少部分最外圍淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在所述分立有源區(qū)長度方向上的尺寸大于其他位置的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在所述分立有源區(qū)長度方向上的尺寸。

可選的，所述襯底還包括包圍所述陣列區(qū)域的外圍區(qū)域，所述襯底的外圍區(qū)域內(nèi)形成有外圍淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

可選的，所述外圍淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍繞所述陣列區(qū)域設(shè)置。

可選的，所述分立有源區(qū)與所述外圍區(qū)域之間通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離。

可選的，所述外圍淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)朝向所述陣列區(qū)域一側(cè)的側(cè)壁為曲面。

可選的，所述外圍淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述陣列區(qū)域之間具有一定間距。

可選的，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，最外圍的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的尺寸大于其他位置的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的尺寸。

可選的，各分立有源區(qū)分別沿多根平行的直線排列。

可選的，位于所述陣列區(qū)域最外圍的分立有源區(qū)長度大于或等于各分立有源區(qū)長度的最小值。

可選的，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)包括第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；所述第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為長條狀，將陣列區(qū)域分割為多條平行排列的長條狀的連續(xù)有源區(qū)，所述第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為塊狀，將所述長條狀的連續(xù)有源區(qū)分割為若干分立有源區(qū)。

本實用新型的存儲器可以避免有源區(qū)陣列邊緣存在尺寸較小的次有源區(qū)而發(fā)生倒塌等問題，提高存儲器的可靠性。進(jìn)一步的，位于外圍的用于分割連續(xù)有源區(qū)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的尺寸較大，可以避免刻蝕形成溝槽過程中的刻蝕負(fù)載效應(yīng)，從而降低光刻刻蝕工藝窗口，提高形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖形準(zhǔn)確性，進(jìn)一步提高存儲器的性能。

附圖說明

圖1至圖8為本實用新型具體實施方式的存儲器的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的存儲器及其形成方法的具體實施方式做詳細(xì)說明。