[實用新型]存儲器有效
| 申請號： | 201921919956.6 | 申請日： | 2019-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN210607187U | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 張強;應戰 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/308 | 分類號： | H01L21/308;H01L21/762;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 | ||
1.一種存儲器，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括陣列區域；
所述陣列區域內形成有若干分立且陣列排布的分立有源區；
所述各個分立有源區通過淺溝槽隔離結構隔離，其中至少部分最外圍淺溝槽隔離結構在所述分立有源區長度方向上的尺寸大于其他位置的淺溝槽隔離結構在所述分立有源區長度方向上的尺寸。
2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述襯底還包括包圍所述陣列區域的外圍區域，所述外圍區域內形成有外圍淺溝槽隔離結構。
3.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述外圍淺溝槽隔離結構圍繞所述陣列區域設置。
4.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述分立有源區與所述外圍區域之間通過淺溝槽隔離結構隔離。
5.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述外圍淺溝槽隔離結構朝向所述陣列區域一側的側壁為曲面。
6.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述外圍淺溝槽隔離結構與所述陣列區域之間具有一定間距。
7.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構中，最外圍的淺溝槽隔離結構的尺寸大于其他位置的淺溝槽隔離結構的尺寸。
8.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，各分立有源區分別沿多根平行的直線排列。
9.根據權利要求8所述的存儲器，其特征在于，位于所述陣列區域最外圍的分立有源區長度大于或等于各分立有源區長度的最小值。
10.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構包括第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構；所述第一淺溝槽隔離結構為長條狀，將陣列區域分割為多條平行排列的長條狀的連續有源區，所述第二淺溝槽隔離結構為塊狀，將所述長條狀的連續有源區分割為若干分立有源區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
