[實用新型]一種控溫接觸板和蒸鍍設備

有效

• 申請號: 201921899280.9
• 申請日: 2019-11-06
• 公開（公告）號: CN211112201U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 王海燕;孫玉俊
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/24;C23C14/12;H01L51/56
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;張忠波

本實用新型公開一種控溫接觸板和蒸鍍設備，所述的控溫接觸板包括了依次設置的接觸板頂面、導熱層和接觸板底面，同時所述導熱層之間設置有制冷半導體單元，所述制冷半導體單元通過導熱層與所述接觸板頂面與接觸板底面相連。在本方案中，接觸板底面在蒸鍍過程中產生的熱能，通過制冷半導體單元的作用，將降低降低接觸板底面表明的溫度。從而保證基板上冷卻溫度的一致性，提高蒸鍍膜層的均勻性。此外，降低了團簇與結晶形成的概率，從而改善目標膜層內部缺陷，提高膜層結構的穩定性。

技術領域

本實用新型涉及蒸鍍設備技術領域，尤其涉及一種控溫接觸板和蒸鍍設備。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自發光、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗等優異性能。目前有機發光二極管(OLED)制程，多采用蒸鍍設備執行。現有蒸鍍機主要包括蒸鍍源、金屬掩膜板、接觸板和磁板等。金屬掩膜板處于基板下方，蒸鍍源上方，通過磁板吸附以便鍍膜材料通過金屬掩膜板，以目標圖案沉積于目標基板上。蒸鍍中，接觸板與基板相接觸，其處于磁板和基板之間，以保證基板壓合后的平整度與在蒸鍍過程中的散熱。

現有技術中接觸板與基板水平貼合，當蒸鍍源鍍膜材料至基板上時，基板上的熱量主要通過接觸板上的散熱孔散逸，因此散熱孔對應的基板位置處的溫度比其它區域的溫度高。接觸板內各區域產生溫差，不利于目標膜層的均勻性。此外，蒸鍍過程中，若接觸板未能及時散熱，則基板上沉積的目標膜層內，材料原子由于基板溫度差異形成的團簇與結晶，不利于膜層結構的穩定性。因此業界都在探尋一種能高效降低基板溫度的方法以及尋找一種可提高接觸板均勻散熱效率的結構。

實用新型內容

為此，需要提供一種控溫接觸板和蒸鍍設備，以降低觸控板在作業時的溫度，從而提高膜層結構的穩定性以及膜層的質量。

為實現上述目的，發明人提供了一種控溫接觸板，所述接觸板包括依次設置的接觸板頂面、導熱層和接觸板底面；

所述導熱層與接觸板頂面、接觸板底面水平貼合，所述導熱層之間設置有制冷半導體單元，所述制冷半導體單元通過導熱層與所述接觸板頂面與接觸板底面相連，接觸板頂面設置有散熱孔，所述制冷半導體的冷端設置在靠近接觸板底面的一側，所述制冷半導體的熱端設置在靠近接觸板頂面的一側，述接觸板底面用于與基板水平貼合。

進一步地，所述導熱層內還設置有導熱顆粒，所述導熱顆粒均勻設置于導熱層內。

進一步地，所述導熱顆粒包括石墨烯、碳納米管、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氮化鋁、氮化硼、銀、銅、金或鋁。

進一步地，所述制冷半導體單元包括金屬下電極、金屬上電極、N型半導體和P型半導體，所述金屬下電極設置于靠近所述接觸板底面一側，用于吸收熱量，所述金屬上電極設置于靠近所述接觸板頂面一側，用于放出熱量；

所述N型半導體經金屬下電極與P型半導體相連，所述P型半導體經金屬上電極與另一N型半導體相連。

進一步地，其特征在于，所述金屬上電極上設置有散熱孔。

本實用新型提供一種蒸鍍設備，所述蒸鍍設備包由上往下依次設置的磁板、本實用新型實施例任意一項所述的一種控溫接觸板、基板、掩膜板、蒸鍍源。

所述蒸鍍源包括坩堝和鍍膜材料，所述鍍膜材料設于坩堝內，所述所述接觸板與基板水平貼合。