[實用新型]氮化鎵HEMT的封裝結構

有效

• 申請號: 201921898945.4
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN210837732U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 莫錦添;鄒艷波;盛健健;姚衛剛
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

本實用新型公開了一種氮化鎵HEMT的封裝結構，待封裝氮化鎵HEMT芯片的柵極位于源極和漏極之間，設置第二導電焊盤、第三導電焊盤以及基盤引腳區位于芯片靠近源極的一側，第一導電焊盤位于芯片靠近漏極的另一側，通過第一電連接部件電連接漏極和第一導電焊盤，通過第二電連接部件電連接源極和基盤引腳區，通過第四電連接部件電連接源極和第二導電焊盤，通過第三電連接部件電連接柵極與第三導電焊盤，可以使得芯片各電極之間滿足耐壓距離；通過第四電連接部件電連接源極和第二導電焊盤，形成開爾文源極，以減小驅動回路的寄生電感；待封裝氮化鎵HEMT芯片固定且電連接在散熱區，提高了封裝結構的散熱性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體芯片封裝技術領域，更具體的說，涉及一種氮化鎵HEMT(高電子遷移率晶體管)的封裝結構。

背景技術

作為第三代半導體材料的典型代表，寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)具有許多硅材料不具備的優異性能，是高頻、高壓和大功率應用的優良半導體材料，在民用和軍事領域具有廣闊的應用前景。

盡管寬禁帶半導體材料氮化鎵較硅材料在性能上具有很大的優勢，但是目前傳統功率器件封裝技術都是基于傳統硅材料功率器件設計的，利用傳統封裝技術對寬禁帶半導體材料氮化鎵制備的半導體器件進行封裝時，會影響半導體器件的性能。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種氮化鎵HEMT的封裝結構，提高了氮化鎵HEMT封裝結構的性能。

為了實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種氮化鎵HEMT的封裝結構，所述封裝結構包括：

待封裝氮化鎵HEMT芯片，所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的正面具有柵極、源極以及漏極；所述柵極位于所述源極以及所述漏極之間；

導電基盤，所述導電基盤具有用于固定所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的散熱區和基盤引腳區；

引線框架，所述引線框架上設置有第一導電焊盤、第二導電焊盤以及第三導電焊盤；所述導電基盤與所述引線框架相對固定；

其中，所述第一導電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述漏極的一側，所述第二導電焊盤以及所述第三導電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述源極的一側；所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的背面與所述散熱區固定且電連接；所述漏極通過第一電連接部件與所述第一導電焊盤電連接，所述源極通過第二電連接部件與所述基盤引腳區電連接，所述柵極通過第三電連接部件與所述第三導電焊盤電連接，且所述源極還通過第四電連接部件與所述第二導電焊盤電連接。

優選的，在上述封裝結構中，所述基盤引腳區、所述第一導電焊盤、所述第二導電焊盤以及所述第三導電焊盤均包括焊接區以及和所述焊接區一體的引腳；

其中，所述第一導電焊盤、所述第二導電焊盤以及所述第三導電焊盤的所述焊接區和所述引腳連接處均具有彎折部，使得所述焊接區高于所述引腳。

優選的，在上述封裝結構中，所述第一導電焊盤通過至少一根所述第一電連接部件與所述漏極電連接；

所述第一導電焊盤包括：漏極焊接區以及和所述漏極焊接區一體的至少一個漏極引腳；

其中，所述漏極焊接區通過所述第一電連接部件與所述漏極電連接。

優選的，在上述封裝結構中，所述基盤引腳區通過至少一根所述第二電連接部件與所述源極電連接，所述第二導電焊盤通過一根所述第四電連接部件與所述源極電連接；

所述基盤引腳區包括：源極焊接區以及和所述源極焊接區一體的至少一個源極引腳；其中，所述源極焊接區通過所述第二電連接部件與所述源極電連接；

所述第二導電焊盤包括：開爾文源極焊接區和一個開爾文源極；其中，所述開爾文源極焊接區通過所述第四電連接部件與所述源極電連接。