[實用新型]氮化鎵HEMT的封裝結構

有效

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• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN210837732U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 莫錦添;鄒艷波;盛健健;姚衛(wèi)剛
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

1.一種氮化鎵HEMT的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

待封裝氮化鎵HEMT芯片，所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的正面具有柵極、源極以及漏極；所述柵極位于所述源極以及所述漏極之間；

導電基盤，所述導電基盤具有用于固定所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)；

引線框架，所述引線框架上設置有第一導電焊盤、第二導電焊盤以及第三導電焊盤；所述導電基盤與所述引線框架相對固定；

其中，所述第一導電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述漏極的一側，所述第二導電焊盤以及所述第三導電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述源極的一側；所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的背面與所述散熱區(qū)固定且電連接；所述漏極通過第一電連接部件與所述第一導電焊盤電連接，所述源極通過第二電連接部件與所述基盤引腳區(qū)電連接，所述柵極通過第三電連接部件與所述第三導電焊盤電連接，且所述源極還通過第四電連接部件與所述第二導電焊盤電連接。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述基盤引腳區(qū)、所述第一導電焊盤、所述第二導電焊盤以及所述第三導電焊盤均包括焊接區(qū)以及和所述焊接區(qū)一體的引腳；

其中，所述第一導電焊盤、所述第二導電焊盤以及所述第三導電焊盤的焊接區(qū)和所述引腳連接處均具有彎折部，使得所述焊接區(qū)高于所述引腳。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一導電焊盤通過至少一根所述第一電連接部件與所述漏極電連接；

所述第一導電焊盤包括：漏極焊接區(qū)以及和所述漏極焊接區(qū)一體的至少一個漏極引腳；

其中，所述漏極焊接區(qū)通過所述第一電連接部件與所述漏極電連接。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述基盤引腳區(qū)通過至少一根所述第二電連接部件與所述源極電連接，所述第二導電焊盤通過一根所述第四電連接部件與所述源極電連接；

所述基盤引腳區(qū)包括：源極焊接區(qū)以及和所述源極焊接區(qū)一體的至少一個源極引腳；其中，所述源極焊接區(qū)通過所述第二電連接部件與所述源極電連接；

所述第二導電焊盤包括：開爾文源極焊接區(qū)和一個開爾文源極；其中，所述開爾文源極焊接區(qū)通過所述第四電連接部件與所述源極電連接。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第三導電焊盤通過一根所述第三電連接部件與所述柵極電連接。

6.根據權利要求5所述的封裝結構，其特征在于，所述第三導電焊盤包括：柵極焊接區(qū)和一個柵極引腳；

其中，所述柵極焊接區(qū)通過所述第三電連接部件與所述柵極電連接。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的背面通過軟焊料與所述散熱區(qū)固定。

8.根據權利要求1-7任一項所述的封裝結構，其特征在于，還包括：對所述待封裝氮化鎵HEMT芯片進行密封保護的封裝層，所述封裝層覆蓋所述待封裝氮化鎵HEMT芯片以及各電連接部件。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝層為環(huán)氧樹脂層。