[實(shí)用新型]一種集成式接近開(kāi)關(guān)及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921878365.9
• 申請(qǐng)日: 2019-11-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210867636U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文偉;宋瑞潮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K17/95
• 分類(lèi)號(hào): H03K17/95
• 代理公司: 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 史曉麗

本實(shí)用新型屬于集成式接近開(kāi)關(guān)，具體涉及一種集成式接近開(kāi)關(guān)及系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中霍爾接近開(kāi)關(guān)無(wú)法實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)和體積大的技術(shù)問(wèn)題。其中，集成式接近開(kāi)關(guān)包括霍爾集成電路，以及設(shè)置于霍爾集成電路背面的磁性薄膜層，霍爾集成電路和磁性薄膜層之間設(shè)有絕緣層，所述磁性薄膜層的N極在上S極在下或S極在上N極在下；霍爾集成電路、絕緣層和磁性薄膜層封裝于一體；或?qū)⒋判员∧犹鎿Q為磁鐵。該集成式接近開(kāi)關(guān)還可以用于集成式接近開(kāi)關(guān)系統(tǒng)，將磁性物體與集成式接近開(kāi)關(guān)相對(duì)布置。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于集成式接近開(kāi)關(guān)及其加工方法，具體涉及一種集成式接近開(kāi)關(guān)及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

利用霍爾元件做成的接近開(kāi)關(guān)具有無(wú)觸點(diǎn)、低功耗、使用壽命長(zhǎng)和響應(yīng)頻率高的特點(diǎn)，適用范圍廣泛。

當(dāng)前傳統(tǒng)的霍爾接近開(kāi)關(guān)01工作原理是，磁性目標(biāo)02接近霍爾開(kāi)關(guān)01時(shí)，霍爾開(kāi)關(guān)01檢測(cè)面上的霍爾元件產(chǎn)生霍爾效應(yīng)而使霍爾開(kāi)關(guān)01內(nèi)部電路狀態(tài)發(fā)生變化，由此來(lái)判斷附近是否有磁性目標(biāo)02的存在，進(jìn)而來(lái)控制霍爾接近開(kāi)關(guān)01的通斷。該類(lèi)霍爾接近開(kāi)關(guān)01結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，但存在如下問(wèn)題：(1)無(wú)法實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)。現(xiàn)有霍爾接近開(kāi)關(guān)技術(shù)利用霍爾元件加磁鐵，再加上外殼，通過(guò)灌膠的方法制成，很難達(dá)到全自動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)；(2)體積大。使用前述方法生產(chǎn)的霍爾接近開(kāi)關(guān)01尺寸大。由于霍爾接近開(kāi)關(guān)01的檢測(cè)對(duì)象必須是磁性物體，實(shí)際使用時(shí)都會(huì)如圖1在霍爾開(kāi)關(guān)01上安裝一塊磁性鐵03，或著如圖2在一般待測(cè)目標(biāo)04上安裝一塊磁性鐵03來(lái)滿足霍爾接近開(kāi)關(guān)01的工作需求，但會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)體積大，且外置磁性鐵易碎。該類(lèi)霍爾接近開(kāi)關(guān)01用于其它領(lǐng)域，如轉(zhuǎn)速傳感器時(shí)，也存在上述的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的是在于解決現(xiàn)有技術(shù)中霍爾接近開(kāi)關(guān)無(wú)法實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)和體積大的技術(shù)問(wèn)題，提供一種集成式接近開(kāi)關(guān)及系統(tǒng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種集成式接近開(kāi)關(guān)，其特殊之處在于，包括霍爾集成電路，以及設(shè)置于霍爾集成電路背面的磁性薄膜層，霍爾集成電路和磁性薄膜層之間設(shè)有絕緣層，所述磁性薄膜層的N極在上S極在下或S極在上N極在下；霍爾集成電路、絕緣層和磁性薄膜層封裝于一體。

為了將霍爾集成電路與磁性薄膜層之間隔離開(kāi)，便于磁性薄膜層在霍爾集成電路上進(jìn)行濺射，對(duì)霍爾集成電路的背面先進(jìn)行預(yù)處理，設(shè)置絕緣層：

進(jìn)一步地，所述絕緣層為氮化硅絕緣層，或者所述絕緣層為二氧化硅絕緣層。為了同時(shí)兼顧集成度和開(kāi)關(guān)的性能，磁性薄膜層的厚度控制在100-400μm，絕緣層的厚度為100-2000nm。

一種集成式接近開(kāi)關(guān)系統(tǒng)，其特殊之處在于，包括磁性物體和如上所述集成式接近開(kāi)關(guān)；所述磁性物體與集成式開(kāi)關(guān)相對(duì)布置，磁性物體與集成式開(kāi)關(guān)之間留有間隙。

該集成式接近開(kāi)關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用范圍及其廣泛，可用于各種檢測(cè)接近或遠(yuǎn)離程度，以及其他接近程度的場(chǎng)合，只需將磁性物體和集成式接近開(kāi)關(guān)相對(duì)布置即可。

一種集成式接近開(kāi)關(guān)，其特殊之處在于，包括霍爾集成電路和設(shè)置于霍爾集成電路背面的磁鐵；所述霍爾集成電路和磁鐵之間設(shè)有絕緣層；所述磁鐵的N極和S極連線垂直于霍爾集成電路；霍爾集成電路、絕緣層和磁鐵封裝于一體。此處用磁鐵替換了前述的磁性薄膜層，同樣達(dá)到磁性薄膜層的目的，磁鐵的具體厚度可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，一般采用厚度為0.1-0.5mm的磁鐵。

進(jìn)一步地，所述絕緣層為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，與前述相同，此處的二氧化硅絕緣層或氮化硅絕緣層便于磁鐵與霍爾集成電路的結(jié)合。

一種集成式接近開(kāi)關(guān)系統(tǒng)，其特殊之處在于，包括磁性物體和如上所述集成式接近開(kāi)關(guān)；所述磁性物體與集成式接近開(kāi)關(guān)相對(duì)布置，磁性物體與集成式接近開(kāi)關(guān)之間留有間隙。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：